[发明专利]一种半导体器件制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一N型硅片，其中，所述N型硅片上设置有扩散窗口；

沿所述N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层；

沿所述铝源层的表面沉积掩蔽层；

在与所述扩散窗口对应位置的掩蔽层表面设置光刻胶，并刻蚀除所述扩散窗口区域以外的所述铝源层与所述掩蔽层；

在目标环境下使铝源层向所述N型硅片的扩散窗口进行的扩散，以制作所述半导体器件。

2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述沿所述N型硅片的表面涂覆铝源层的步骤之前，所述方法包括：

将硝酸铝溶于去离子水，以形成待用铝源；

调整所述待用铝源的粘度与浓度，以生成铝源。

3.如权利要求2所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述调整所述待用铝源的粘度与浓度，以生成铝源的步骤包括：

向所述待用铝源中添加乙二醇甲醚，直至将所述待用铝源的浓度调整为2％～30％，黏度调为10～150cp。

4.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述沿所述N型硅片的表面涂覆铝源的步骤之前，所述方法还包括：

对所述N型硅片的表面进行镜面处理；

将处理后的N型硅片置于1000～1200℃的条件下，以在所述N型硅片的表面生长2000～10000A的氧化层。

5.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述铝源包括硝酸铝溶液，所述沿所述N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层的步骤包括：

在转速为1000～5000rpm的条件下，将所述硝酸铝溶液涂覆于所述N型硅片的表面；

将涂覆铝源的N型硅片置于500～700℃的氧气环境下，以使所述硝酸铝分解，形成三氧化二铝层。

6.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述沿所述铝源层的表面沉积掩蔽层的步骤包括：

将生成铝源层的N型硅片置于的400～800℃的环境下，并在所述铝源层的表面沉积氮化硅层，以形成掩蔽层。

7.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述刻蚀除所述扩散窗口区域以外的所述铝源层与所述掩蔽层的步骤包括：

通过干法刻蚀方式刻蚀除所述扩散窗口区域以外的所述掩蔽层；

通过氢氟酸腐蚀的方式腐蚀除所述扩散窗口区域以外的所述铝源层。

8.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述在目标环境下使铝源层向所述N型硅片的扩散窗口进行的扩散的步骤之前，所述方法还包括：

去除光刻胶。

9.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述在目标环境下使铝源层向所述N型硅片的扩散窗口进行的扩散的步骤包括：

将涂覆铝源层与掩蔽层的N型硅片置于1240～1280℃环境下，并持续扩散20～80h。