[发明专利]雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种结构，包括：

衬底材料，其具有沟槽，所述沟槽具有包括所述衬底材料的侧壁和底部；

第一半导体材料，其对所述沟槽的所述侧壁和所述底部加衬里；

光敏半导体材料，其设置在所述第一半导体材料上；以及

第三半导体材料，其设置在所述光敏半导体材料上。

2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括隔离结构，所述隔离结构延伸到所述衬底材料中并围绕所述沟槽，远离所述光敏半导体材料。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述隔离结构包括反射材料，所述反射材料将光子反射到对所述沟槽的所述侧壁和所述底部加衬里的所述第一半导体材料中。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述光敏半导体材料包括本征材料。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述本征材料包括未掺杂的Ge材料。

6.根据权利要求4所述的结构，其中，所述衬底材料包括N型半导体材料，并且所述第一半导体材料和所述第三半导体材料包括P型半导体材料。

7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第三半导体材料包括P+插塞，以偏置雪崩光电二极管的操作。

8.根据权利要求7所述的结构，进一步包括位于所述P+插塞上的半导体材料和位于该半导体材料上方的掩蔽材料，以防止在所述P+插塞上形成硅化物。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述P+插塞包括未硅化的材料，并且在所述沟槽的一侧上形成有接触，所述接触与所述衬底电接触以检测信号。

10.根据权利要求7所述的结构，进一步包括位于所述P+插塞上的硅化物和接触。

11.根据权利要求3所述的结构，进一步包括位于所述第三半导体材料上的第四半导体材料，所述第三半导体材料和所述第四半导体材料全部位于所述沟槽内，其中，所述衬底材料、所述第一半导体材料和所述第三半导体材料包括P型材料，所述第四半导体材料包括N型材料。

12.根据权利要求11所述的结构，进一步包括与所述N型半导体材料电连接的硅化物接触和接触。

13.一种结构，包括：

半导体材料；

沟槽，其形成在所述半导体材料中，所述沟槽具有侧壁和底部；

具有第一掺杂剂类型的半导体材料，其对所述沟槽的所述侧壁和所述底部加衬里；

本征光敏半导体材料，其与所述半导体材料接触；

第二半导体材料，其具有所述第一掺杂剂类型，位于所述沟槽中，并且与所述本征光敏半导体材料接触；以及

隔离结构，其包括包围所述沟槽的反射材料，并远离所述本征光敏半导体材料定位。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述半导体材料包括N型材料，所述第一掺杂剂类型包括P型材料，并且所述结构进一步包括位于所述第二半导体材料上方的掩蔽材料，以防止在所述第二半导体材料上形成硅化物。

15.根据权利要求13所述的结构，其中，所述半导体材料包括N型材料，所述第一掺杂剂类型包括P型材料，并且进一步包括直接在所述第二半导体材料上的硅化物接触。

16.根据权利要求13所述的结构，进一步包括直接在所述沟槽内的所述第二半导体材料上的N型半导体材料，其中，所述半导体材料和所述第二半导体材料是P型材料，所述本征光敏半导体材料包括未掺杂的Ge材料。

17.根据权利要求13所述的结构，其中，所述本征光敏半导体材料包括未掺杂的Ge材料。