[发明专利]一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法有效
| 申请号： | 202110254064.4 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113113285B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 戴永喜;宁提;谭振;孙浩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 芯片 钝化 表面 清洗 方法 | ||
1.一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，其特征在于，包括：
将经过第一预设溶剂浸泡后的碲镉汞芯片置于片托上，使所述碲镉汞芯片的碲镉汞材料面朝上；
控制第二预设溶液按照预设流量冲洗所述碲镉汞芯片的表面，冲洗过程中控制冲洗转速为200～300r/min，冲洗时间为10～15s；
用带有所述第二预设溶液的毛刷刷洗所述碲镉汞芯片表面，刷洗时，控制所述碲镉汞芯片的转速为800～1100r/min，所述预设溶剂剂的流量为0.4～0.5L/min；
依次用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，以去除残留物和水分；
所述第一预设溶剂为石油醚；
所述第二预设溶液为丙酮溶液；
所述预设流量为0.6～0.7L/min。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用去离子水冲洗所述碲镉汞芯片表面，包括：
用去离子水冲洗所述碲镉汞芯片表面，冲洗时保持去离子水的水柱能冲洗到所述碲镉汞芯片表面的正中间部分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
去离子水冲洗时，去离子水的流量为0.6～0.7L/min，所述碲镉汞芯片的转速为200～300r/min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面，包括：
用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面时，冲洗时保持乙醇溶液能冲洗到所述碲镉汞芯片表面的正中间部分。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
用乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面时，乙醇溶液的冲洗流量为0.6～0.7L/min，所述碲镉汞芯片的转速为200～300r/min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
用去离子水和乙醇溶液冲洗所述碲镉汞芯片表面的时间为60～95s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
