[发明专利]倒装Mini LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装Mini LED芯片，其依次包括衬底、N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层，其特征在于，

所述P型半导体层包括相互间隔设置的第一P型半导体区和第二P型半导体区，所述多量子阱层包括分别位于所述第一P型半导体区和所述第二P型半导体区下方的第一多量子阱区和第二多量子阱区；

所述第一P型半导体区上设有与其电性连接的第一扩展电极，所述第二P型半导体区上设有第二扩展电极，所述第二扩展电极延伸至所述N型半导体层，与其电性连接；

所述第一扩展电极和所述第二扩展电极上分别设有与其电性连接的第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极上端面平齐。

2.根据权利要求1所述的倒装Mini LED芯片，其特征在于，所述第一P型半导体区和所述第二P型半导体区、所述第一多量子阱区和所述第二多量子阱区、所述第一扩展电极和所述第二扩展电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极的厚度分别一致。

3.根据权利要求2所述的倒装Mini LED芯片，其特征在于，所述倒装Mini LED芯片表面及侧面还设有一层钝化层，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极设于所述钝化层之上，分别通过所述钝化层内的通孔电性连接于所述第一扩展电极和所述第二扩展电极。

4.根据权利要求3所述的倒装Mini LED芯片，其特征在于，所述钝化层为SiO₂层，或为Si₃N₄层，或为SiO₂层和Ti₃O₅层交替堆叠设置的布拉格反射层。

5.根据权利要求4所述的倒装Mini LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层侧边及中心位置暴露所述衬底，所述钝化层覆盖所述N型半导体层侧边所暴露的部分所述衬底。

6.根据权利要求1所述的倒装Mini LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极和所述第二扩展电极为Cr、Ti、Al、Ni、Pt、Au或以上金属材料中的两种或多种组成的合金，所述第一扩展电极和所述第二扩展电极的厚度为1nm-3000nm。

7.根据权利要求1所述的倒装Mini LED芯片，其特征在于，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极为Cr、Ti、Al、Ni、Pt、Au、Sn或以上金属材料中的两种或多种组成的合金，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极的厚度为1nm-5000nm。

8.一种倒装Mini LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底，在所述衬底上依次生长N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

刻蚀所述P型半导体层和所述多量子阱层，形成间隔设置的第一多量子阱区和第二多量子阱区以及分别位于其上的第一P型半导体区和第二P型半导体区；

分别在所述第一P型半导体区和所述第二P型半导体区上设置第一扩展电极和第二扩展电极，所述第一扩展电极电性连接于所述第一P型半导体区，所述第二扩展电极延伸至所述N型半导体层，与其电性连接；

分别在所述第一扩展电极和所述第二扩展电极上形成与其电性连接的第一焊盘电极和第二焊盘电极。

9.根据权利要求8所述的倒装Mini LED芯片的制造方法，其特征在于，在“分别在所述第一扩展电极和所述第二扩展电极上形成与其电性连接的第一焊盘电极和第二焊盘电极”之前还包括步骤：

在所述倒装Mini LED芯片表面及侧面形成一层钝化层。