[发明专利]潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法

说明书

本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。

技术领域

本发明涉及半导体芯片设计领域，尤其涉及一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法。

背景技术

摩尔定律的发展速率随着节点的演进逐渐放缓，但制造难度和成本却持续攀升。随着制造芯片愈加复杂化，在投片前的仿真验证变得尤为重要，完善的仿真验证可极大程度避免后续流片的返工。流片前的检查包括设计规则检查(design rule check，DRC)，但通常仅仅依靠设计规则检查是无法保证芯片的可靠良率，则需大量的基于光刻物理模型的仿真计算。光刻工艺的模型计算主要依赖于光刻友好设计(lithography friendly design，LFD)，LFD包含代工厂的光刻版图拆分方案、光刻临近效应矫正方案及光刻制造检查规则验证等重要模块。仿真前的光刻工艺的仿真验证在先进节点极度耗时，对先进接待你的超大规模集成电路设计必须进行有效加速，以提升流片钱的工艺仿真验证迭代速度。

对于大规模芯片，并非每个区域均为制造的难点和热点，对每个区域使用LFD验证的仿真计算较为耗时，并且很大概率检测不出光刻工艺热点。可根据工艺技术，使用一定的算法来选择最容易出问题的区域进行仿真，从而发现可能的工艺热点区域。

传统LFD加速算法分为两种，第一种是普通LFD加速算法，第二种是潜在热点区域点聚类法。普通模式LFD加速算法在筛选中会忽略一些其他重要的热点图形，导致LFD仿真结果精确度不够；潜在热点区域点聚类法由于标记的潜在热点数量过多，即使经过聚类后，剩下的热点数量仍然较大，造成仿真面积过大，LFD加速效率不理想。

发明内容

基于此，为了解决LFD仿真结果不够精确、仿真加速效率不理想的问题，提供一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法。

为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种潜在热点图形区域确定方法，包括：

获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；

确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；

基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的第一正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。

于上述实施例中提供的潜在热点图形区域确定方法中，获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，以便于后续获取精准且全面的光刻热点和光刻热点图形，相较于普通模式和点聚类法两种方案，不仅降低光刻友好设计的仿真面积，从而降低运算时间，提升光刻友好设计仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计仿真的精确度。

在其中一个实施例中，所述图形区域包括金属线，各所述金属线为相互平行的直线。

在其中一个实施例中，所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，包括：