[发明专利]半导体器件及其制备方法、阵列基板

说明书

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、阵列基板，属于显示技术领域。本申请公开的半导体器件包括半导体层、绝缘层、填充体和导电薄膜，其中，半导体层具有电极部，绝缘层覆盖半导体层，且对应电极部的位置设置有过孔，该过孔的孔壁具有凹陷，填充体至少填充于该凹陷，以平整过孔的孔壁，导电薄膜至少部分覆盖过孔的孔壁，并与电极部接触。本申请利用填充体填充过孔孔壁的凹陷，使孔壁呈平整状，则后续形成导电薄膜时，导电薄膜沿孔壁沉积生长，也呈平整状，能够保障导电薄膜延伸的连续性，降低其发生断裂的几率，从而降低半导体器件驱动显示面板时发生断路的几率，提高半导体器件的可靠性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法、阵列基板。

背景技术

目前主要的显示面板(例如液晶显示面板、OLED显示面板)中均包括阵列基板，阵列基板内通常包括半导体器件，用于驱动显示面板，决定其显示性能。在半导体器件的制备过程中，通常需要形成带有过孔的绝缘层，以使分别位于绝缘层两侧的导电薄膜和半导体层通过该过孔相接触。但是现有技术中，形成过孔的刻蚀工艺往往导致过孔的孔壁凹凸不平，后续形成导电薄膜时，容易导致导电薄膜出现断裂，增加半导体器件驱动显示面板时发生断路的几率，从而导致显示面板出现暗点不良的显示缺陷。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体器件及其制备方法、阵列基板，能够提高半导体器件的可靠性。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件，包括：

半导体层，具有电极部；

绝缘层，覆盖所述半导体层，且对应所述电极部的位置设置有过孔，所述过孔的孔壁具有凹陷；

填充体，至少填充于所述凹陷，以平整所述过孔的孔壁；

导电薄膜，至少部分覆盖所述过孔的孔壁，并与所述电极部接触。

其中，所述绝缘层包括分别层叠于所述半导体层的第一绝缘子层和第二绝缘子层，且在对应所述过孔处，所述第一绝缘子层的所述过孔孔径与所述第二绝缘子层的所述过孔孔径不同，以形成所述凹陷，其中，所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层的材质不相同。

其中，所述填充体仅位于所述凹陷内。

或者，所述填充体连续覆盖所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层位于所述过孔孔壁的侧面。

其中，所述第一绝缘子层的材质包括氧化硅，所述第二绝缘子层的材质包括氮化硅，所述填充体包括聚酰亚胺。

其中，所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层的数量均至少为二，两者交替层叠；所述半导体器件还包括栅极层，所述栅极层位于所述第一绝缘子层和所述第二绝缘子层之间。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：

衬底；

如上述技术方案所述的半导体器件，其中，所述半导体器件形成于所述衬底的第一表面。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种半导体器件的制备方法，包括：

在半导体层一侧形成绝缘层，使所述绝缘层覆盖所述半导体层，其中，所述半导体层具有电极部；

在所述绝缘层对应所述电极部的位置形成过孔，所述过孔的孔壁形成有凹陷；

将填充体至少填充于所述凹陷内，以平整所述过孔的孔壁；

在所述过孔内形成导电薄膜，使所述导电薄膜至少部分覆盖所述过孔的孔壁，并与所述电极部接触。

其中，所述在所述绝缘层对应所述电极部的位置形成过孔的步骤之后，还包括：采用湿法刻蚀方式清洗所述过孔；