[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，其中，包括：

衬底；

叠层结构，配置在所述衬底上，其中所述叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层；

多晶硅层，配置在所述衬底与所述叠层结构之间；

垂直通道结构，贯穿所述叠层结构与所述多晶硅层；以及

电荷存储结构，至少配置在所述垂直通道结构与所述多个导体层之间。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述多晶硅层包括掺杂多晶硅材料，且所述掺杂多晶硅材料为P型掺杂多晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述垂直通道结构包括：

两个源极/漏极柱，贯穿所述叠层结构与所述多晶硅层，并部分延伸至所述衬底中；

绝缘柱，配置在所述两个源极/漏极柱之间，以分隔所述两个源极/漏极柱；以及

通道层，环绕所述两个源极/漏极柱。

4.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述两个源极/漏极柱中的一者包括：

第一部分，内埋在所述衬底中；以及

第二部分，配置在所述第一部分上，其中所述第一部分的横截面积小于所述第二部分的横截面积，且所述第一部分与所述第二部分具有相同的掺杂多晶硅材料，而所述掺杂多晶硅材料为N型掺杂多晶硅材料。

5.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述通道层向下突出于所述多晶硅层的底面，且所述通道层的底面与所述多晶硅层的所述底面之间的距离小于

6.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述电荷存储结构环绕所述叠层结构中的每一个导体层，所述通道层向上突出于最顶导体层的顶面，且所述通道层的顶面与环绕所述最顶导体层的相应的电荷存储结构的顶面之间的距离小于

7.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述电荷存储结构连续延伸在所述通道层与所述叠层结构之间，所述通道层向上突出于所述最顶导体层的顶面，且所述通道层的顶面与所述最顶导体层的所述顶面之间的距离小于

8.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述通道层包括：

主体部，配置在所述两个源极/漏极柱与所述叠层结构之间，且配置在所述两个源极/漏极柱与所述多晶硅层之间；以及

延伸部，连接所述主体部的底面，并部分延伸至所述两个源极/漏极柱中。

9.根据权利要求3所述的存储元件，其中，还包括栅介电层配置在所述多晶硅层与所述通道层之间。

10.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述叠层结构中的所述多个导体层的材料不同于所述多晶硅层的材料。

11.一种存储元件的制造方法，其中，包括：

在衬底上形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成叠层结构，其中所述叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层；以及

形成贯穿所述叠层结构与所述刻蚀停止层的垂直通道结构。

12.根据权利要求11所述的存储元件的制造方法，其中，所述刻蚀停止层包括掺杂多晶硅材料，且所述掺杂多晶硅材料为P型掺杂多晶硅材料。

13.根据权利要求11所述的存储元件的制造方法，其中，在所述衬底上形成所述刻蚀停止层之前，所述方法还包括在所述衬底中形成两个多晶硅层。

14.根据权利要求13所述的存储元件的制造方法，其中，所述垂直通道结构包括：

两个源极/漏极柱，贯穿所述叠层结构与所述刻蚀停止层，并部分延伸至所述衬底中；

绝缘柱，配置在所述两个源极/漏极柱之间，以分隔所述两个源极/漏极柱；以及

通道层，环绕所述两个源极/漏极柱。