[发明专利]一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法在审
申请号: | 202110231369.3 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113035750A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 朱智能;冯应猛;张忠利 | 申请(专利权)人: | 深圳鹏瑞智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人: | 马小辉 |
地址: | 518116 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 上下 瑕疵 测量 装置 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法。包括检测工作台,所述检测工作台内顶部下端从左往右依次固定连接有第一电机和第二电机,所述检测工作台上端固定连接有防尘罩,所述防尘罩左右两端下侧均开设有限位通槽,所述第二电机上端电机轴穿过检测工作台固定连接有第一升降气缸,所述第一升降气缸上端固定连接有横杆,所述横杆前侧下端固定连接有第一吸盘,所述检测工作台上端固定连接有左右对称的传送带,所述传送带穿过限位通槽向外延伸,所述检测工作台右侧上端固定连接有储料架。该自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法,便于连续不间断的进行测量,方便晶圆的上下料,避免灰尘落在晶圆上,测量数据更加全面。
技术领域
本发明涉及瑕疵测量设备技术领域,具体为一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆,晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大。
晶圆是制造半导体器件的基础性原材料,极高纯度的半导体经拉晶、切片等工序制备成为晶圆,晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构,再经切割、封装、测试成为芯片,广泛应用到各类电子设备当中,晶圆投入使用前需要对表面瑕疵进行测量,避免影响芯片的电器特性,但是现有的测量装置存在上下料不方便,不能连续不间断的测量,且不能对晶圆的厚度进行测量,并且测量时,装置内容易进灰,影响测量精准度的缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置及其使用方法,以解决上述背景技术中提出上下料不方便、不能测量厚度和容易进灰的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种自动上下料的晶圆瑕疵测量装置,其包括检测工作台,所述检测工作台内顶部下端从左往右依次固定连接有第一电机和第二电机,所述检测工作台上端固定连接有防尘罩,所述防尘罩左右两端下侧均开设有限位通槽,所述第一电机上端电机轴穿过检测工作台固定连接有转盘,所述检测工作台左侧上端固定连接有立柱,所述第二电机上端电机轴穿过检测工作台固定连接有第一升降气缸,所述第一升降气缸上端固定连接有横杆,所述横杆前侧下端固定连接有第一吸盘,所述检测工作台上端固定连接有左右对称的传送带,所述传送带穿过限位通槽向外延伸,所述检测工作台右侧上端固定连接有储料架,所述转盘上开设有环形等距分布的测量槽,所述测量槽内侧固定连接有软垫,所述防尘罩内顶部下端固定连接有风机室,所述风机室内安装有风机,所述风机室前侧下端固定连接有滑动平台,所述滑动平台下端滑动连接有第二升降气缸,所述第二升降气缸下端固定连接有第二吸盘,所述防尘罩左侧内壁固定连接有正极,所述防尘罩右侧内壁固定连接有负极,所述立柱右端从前往后依次固定连接有第一测量杆和第二测量杆,所述第一测量杆下端固定连接有距离传感器,所述第二测量杆下端固定连接有工业摄像头,所述防尘罩左右两端内壁均开设有滑动槽,所述滑动槽内滑动连接有推拉移门,所述推拉移门外侧固定连接有第一磁铁,所述滑动槽内侧固定连接有第二磁铁。
优选的,所述第一磁铁和第二磁铁为磁性连接,且第一磁铁和第二磁铁的磁力大于推拉移门的重量,所述防尘罩前端下侧为开口式设计,且防尘罩前端开口的高度小于推拉移门的高度。
优选的,所述检测工作台上端开设有环形槽,所述转盘下端固定连接有环形等距分布的滑动杆,所述环形槽和滑动杆为滑动连接,且环形槽和转盘为同心圆结构。
优选的,所述检测工作台和第一电机间固定连接有左右对称的第一加固杆,所述检测工作台和第二电机间固定连接有左右对称的第二加固杆。
优选的,所述转盘右侧的测量槽中心点和储料架中心点到第一升降气缸中心点的距离相等。
优选的,所述距离传感器和工业摄像头分别与不同的测量槽上下对齐。
优选的,所述第二吸盘与转盘前侧的测量槽上下对齐,所述滑动平台的长度大于传送带到另一传送带间的距离。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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