[发明专利]驱动走线的制作方法、显示面板及显示面板的制作方法在审
申请号: | 202110229689.5 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113066759A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 李艳;李浩然;肖军城 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/15;H01L33/52;H01L33/60 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 制作方法 显示 面板 | ||
本发明提供一种驱动走线的制作方法、显示面板及显示面板的制作方法。驱动走线的制作方法包括步骤:在一阵列基板上覆盖一金属薄膜,将所述金属薄膜压合在所述阵列基板上;以及对所述金属薄膜进行黄光刻蚀形成图案化的驱动走线。本发明通过采用将阵列基板与金属薄膜压合在一起,将金属薄膜进行后续的黄光刻蚀工艺得到想要的图形化的驱动走线,克服了现有刻蚀方式制作的走线存在的底切现象,不会发生短路或断路等不良,而且由于该制作方法在阵列基板上实现了厚铜工艺,还实现了驱动走线小电阻设计,简化了制程工艺,有利于减少寄生电容,利于产品规格的提升。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种驱动走线的制作方法、显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术
随着科技的进步和时代的发展,人们对手机显示屏的要求也越来越高。当前主流的硬屏显示已不能满足市场的需求。
现有技术中,阵列基板中包括数据线或栅极线等导电层结构,目前大多采用蒸镀或溅射的方式制作,但是此类导电层结构的制程工艺复杂且导电层的电阻大、导电层寄生电容大。为了解决该问题,若直接采用增加制备的数据线或栅极线的厚度方式,在蚀刻金属层形成图案化的数据线或栅极线时容易产生底切,制程难度大;而且在多层导电层中间的绝缘层,现在的都是采用化学气相沉积法(CVD),制备的绝缘层不够厚,无法覆盖增厚的数据线或栅极线,导致短路现象,且生产成本高,当该阵列基板与其他部件共同构成显示面板时,由于阵列基板上的数据线或栅极线从显示面板的边缘到显示区域的距离较远,线宽较窄,导致经常会发生短路或断路等不良,另外传统设计对面板边缘处的空间较大,与实现窄边框的显示面板存在冲突。
由此可见,通过直接采用增加制备的数据线或栅极线的厚度方式不能解决导电层的电阻大、导电层寄生电容大的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种驱动走线的制作方法、显示面板及显示面板的制作方法,以解决现有技术中制备阵列基板的工艺复杂、生产成本高,刻蚀方式制作的走线存在底切现象,阵列基板上的数据线或栅极线经常会发生短路或断路等不良而导致无法解决导电层的电阻大、导电层寄生电容大的技术问题。
为了解决上述问题,本发明其中一实施例中提供一种驱动走线的制作方法,包括步骤:
在一阵列基板上覆盖一金属薄膜,将所述金属薄膜压合在所述阵列基板上;以及
对所述金属薄膜进行黄光刻蚀形成图案化的驱动走线。
在一些实施例中,在覆盖所述金属薄膜之前,还包括将所述阵列基板的上表面以及所述金属薄膜的下表面进行粗糙化处理。
在一些实施例中,在覆盖所述金属薄膜之前,还包括在所述阵列基板和所述金属薄膜之间设置PP胶层
在一些实施例中,所述金属薄膜的厚度为0.5um-100um;所述金属薄膜包括铜箔、银箔、铝箔、铁箔中的任一种。
在一些实施例中,对所述金属薄膜进行黄光刻蚀步骤之后还包括:对所述基板的下表面设置下保护膜,对所述金属薄膜的上表面设置上保护膜,通过撕除所述上保护膜及所述下保护膜以除去被黄光蚀刻脱落的金属薄膜。
本发明其中一实施例中还提供一种显示面板的制作方法,包括步骤:
在一阵列基板上覆盖一金属薄膜,将所述金属薄膜压合在所述阵列基板上;
对所述金属薄膜进行黄光刻蚀形成图案化的驱动走线;
在所述阵列基板设有所述驱动走线的一面制作绝缘层;
在所述驱动走线上制作反光层;
在所述驱动走线对应位置采用贴片方式制作发光层,所述反光层设于所述发光层的周围;
将一柔性线路板与所述阵列基板边缘的驱动走线绑定连接;以及
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造