[发明专利]分割方法和分割装置在审
申请号: | 202110223522.8 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113363147A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 赵金艳;植木笃;政田孝行 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分割 方法 装置 | ||
本发明提供分割方法和分割装置,能够形成期望宽度的分割槽。分割方法是沿着分割预定线形成有改质层并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法,该分割方法包含如下的步骤:分割步骤,对扩展片进行扩展并沿着改质层对被加工物进行分割,形成沿着分割预定线的分割槽;扩展解除步骤,在实施了分割步骤之后,解除扩展片的扩展;以及槽宽度调整步骤,在实施了扩展解除步骤之后,对扩展片进行扩展而将分割槽形成为期望的宽度。
技术领域
本发明涉及沿着分割预定线形成有分割起点并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法和分割装置。
背景技术
在将晶片等被加工物沿着分割预定线分割成各个器件芯片时,使用对粘贴在沿着分割预定线形成有分割起点的被加工物上的扩展片进行扩展(扩展)的分割方法和分割装置(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2010-206136号公报
在像专利文献1所示的分割方法和分割装置那样将扩展片扩展而进行分割的情况下,由于分割起点的状态不均匀,因此裂开的时机产生偏差。而且,在较早裂开的部位形成有较宽的分割槽,在较迟裂开的部位形成有较窄的分割槽,因此在像专利文献1所示的分割方法和分割装置那样将扩展片扩展而进行分割的情况下,分割槽的宽度产生偏差。
当在芯片间未形成足够宽度的分割槽时,相邻的芯片彼此有可能在处理时发生接触而损伤芯片。希望形成比可能接触的宽度宽的期望宽度的分割槽。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供能够形成期望宽度的分割槽的分割方法和分割装置。
根据本发明的一个方面,提供一种分割方法,是沿着分割预定线形成有分割起点并且粘贴在扩展片上的被加工物的分割方法,其中,该分割方法具有如下的步骤:分割步骤,对该扩展片进行扩展而沿着该分割起点对被加工物进行分割,形成沿着该分割预定线的分割槽;扩展解除步骤,在实施了该分割步骤之后,解除该扩展片的扩展;以及槽宽度调整步骤,在实施了该扩展解除步骤之后,对该扩展片进行扩展而将该分割槽形成为期望的宽度。
优选的是,在该分割步骤中,以第1速度对该扩展片进行扩展,在该槽宽度调整步骤中,以比该第1速度低的第2速度对该扩展片进行扩展。
优选的是,分割方法还具有如下的固定步骤:在实施了该槽宽度调整步骤之后,按照该期望的宽度固定该分割槽。
优选的是,被加工物形成为借助该扩展片而安装于具有开口的环状框架上并且配置于该开口内的状态,在该分割步骤和该槽宽度调整步骤中,通过在固定了该环状框架的状态下推压被加工物的外周与该环状框架的内周之间的该扩展片来扩展该扩展片,在该固定步骤中,隔着该扩展片利用吸引保持部件对通过该槽宽度调整步骤而使该分割槽形成为该期望的宽度的被加工物进行吸引保持,并且对被加工物的外周与该环状框架的内周之间的扩展片进行加热而使该扩展片收缩,从而将因扩展而产生的松弛去除。
优选的是,在该固定步骤中,按照将被加工物配置在具有开口的环状框架的该开口内的方式,在通过该槽宽度调整步骤而扩展了该扩展片的状态下将该环状框架粘贴在该扩展片上。
根据本发明的另一方面,提供一种分割装置,其实施所述分割方法,其中,该分割装置具有:扩展单元,其对该扩展片进行扩展;以及控制器,其对该扩展单元进行控制,该控制器包含:分割控制部,其对该扩展片进行扩展并沿着该分割起点对被加工物进行分割,形成沿着该分割预定线的分割槽;扩展解除部,其在被加工物分割后解除该扩展片的扩展;以及槽宽度调整部,其在解除了该扩展片的扩展之后,对该扩展片进行扩展而将该分割槽形成为期望的宽度。
本发明起到能够形成期望宽度的分割槽的效果。
附图说明
图1是示出第1实施方式的分割装置的结构例的立体图。
图2是图1所示的分割装置的加工对象的被加工物的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造