[发明专利]叠对误差测量方法及叠对误差测量结构

说明书

本公开提供叠对误差测量方法及叠对误差测量结构，具体地，提供一种叠对误差测量方法，其包含在基板上设置下层图案，设置下层图案包含沿着第一方向设置在第一间隔延伸的具第一多个第一子图案的第一图案，且在交叉第一方向的第二方向安排为第一间距。此方法包含沿着第一方向设置在第二间隔延伸的具第二多个第二子图案的第二图案，且在交叉第一方向的第二方向安排为小于第一间距的第二间距。第二子图案交错设置在第一子图案之间。此方法包含设置上层图案，上层图案包含第三图案，第三图案具第一间距且至少在下层图案上方与下层图案局部重叠以及判定下层图案与上层图案之间的叠对误差。

技术领域

本发明涉及测量方法，特别涉及叠对误差测量方法。

背景技术

随着半导体产业追寻更高的装置密度，已演进为纳米科技的工艺节点， 且减少在光刻工艺中光刻胶布局图案以及其下方的布局图案的叠对误差已成 为重要的议题。因此，精准地判断不同的光刻胶布局图案以及其下方的布局 图案之间的叠对误差的有效方法是业界所期盼的。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种叠对误差测量方法包含在半导体装置的 基板上设置下层图案，设置下层图案包含设置具有第一多个第一子图案的第 一图案，沿着第一方向在第一间隔延伸，且在与第一方向交错的第二方向上 具有第一间距，以及设置具有第二多个第二子图案的第二图案，第二多个第 二子图案与等第一子图案交错，沿着第一方向在第二间隔延伸，且在与第一 方向交错的第二方向上具有小于第一间距的第二间距。此方法也包含设置上 层图案，上层图案包含第三图案，第三图案具有第一间距，且在下层图案上方与下层图案至少局部重叠。此方法进一步包含产生与下层图案的第一间距 有关的第一反射的一阶绕射光，第一反射的一阶绕射光与相对于基板的垂直 平面具第一角度，以及产生与第三图案有关的第二反射的一阶绕射光，第二 反射的一阶绕射光与相对于基板的垂直平面具第一角度。此方法包含产生与 下层图案的第二间距有关的第三反射的一阶绕射光，第三反射的一阶绕射光 与相对于基板的垂直平面具第三角度，其中第三角度为第一角度的2至4倍 大，以及基于第一反射的一阶绕射光以及第二反射的一阶绕射光的组合，判定下层图案与上层图案之间的叠对误差。

根据本公开的一些实施例，一种叠对误差测量结构包含下层图案以及上 层图案。下层图案设置在基板上，上层图案设置在下层图案上，且与下层图 案至少局部重叠。下层图案包含两非重叠图案的第一图案和第二图案；第一 图案具有多个第一子图案，沿着第一方向以第一长度延伸，且在与第一方向 交错的第二方向上以第一间距作设置；第二图案具多个第二子图案，沿着第 一方向以第二长度延伸，且在与第一方向交错的第二方向上以第二间距作设 置；其中第二子图案交错设置在第一子图案之间，其中第二间距小于第一间距，当第一反射的一阶绕射与第二反射的一阶绕射离开基板时，使得源自下 层图案的第一间距的第一反射的一阶绕射与源自下层图案的第二间距的第二 反射的一阶绕射分开。上层图案包含第三图案，该第三图案具多个第三子图 案，在第一方向延伸且在第二方向上以第一间距作设置。

根据本公开的一些实施例，一种叠对误差测量方法包含在半导体装置的 基板上设置下层图案，设置下层图案包含设置具有第一多个第一子图案的第 一图案，沿着第一方向在第一间隔延伸，且在与第一方向交错的第二方向上 具有第一间距，以及设置具有第二多个第二子图案的第二图案，沿着第一方 向在第二间隔延伸，且在与第一方向交错的第二方向上具有小于该一间距的 第二间距。第二子图案交错设置在第一子图案之间。此方法包含阻隔与下层 图案的第二间距相关联的反射的一阶绕射光。此方法也包含设置上层图案，上层图案包含第三图案，第三图案具有第一间距且至少在下层图案上方与下 层图案局部重叠。此方法进一步包含基于上层图案的反射的一阶绕射光以及 相关于第一间距的反射的一阶绕射光的组合，判定下层图案与上层图案之间 的叠对误差。

附图说明

本公开的各项层面在以下的实施方式搭配附带的图示一同阅读会有最好 的理解。须强调的是，依据产业的标准作法，各种特征并未按比例绘制。事 实上，各种特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。