[发明专利]具有相邻阳极-阴极对的光电探测器

权利要求书

1.一种用于光电探测器的结构，其特征在于，该结构包括：

光吸收区域，其包括第一侧边；

第一阳极，其相邻于该光吸收区域的该第一侧边；以及

第一阴极，其相邻于该光吸收区域的该第一侧边。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

半导体层，

其中，该第一阳极为该半导体层中的第一掺杂区域，该第一阴极为该半导体层中的第二掺杂区域，该第一掺杂区域具有第一导电类型，且该第二掺杂区域具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

浅沟槽隔离区域，其横向位于该第一掺杂区域和该二掺杂区域之间的该半导体层中。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，该浅沟槽隔离区域终止于该第一侧边。

5.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

介电层，其位于该半导体层下方，

其中，该浅沟槽隔离区域穿过该半导体层直至该介电层。

6.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，该半导体层包括沟槽，该光吸收区域是位于该沟槽中的层，该层由锗组成。

7.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，该半导体层包括沟槽，该光吸收区域是位于该沟槽中的层，该层由元素锗构成。

8.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

第三掺杂区域，其位于该半导体层中，该第三掺杂区域横向位于该第二掺杂区域和该光吸收区域之间，且该第三掺杂区域具有该第一导电类型。

9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该光吸收区域包括与该第一侧边相对的第二侧边，且还包括：

第二阳极，其相邻于该光吸收区域的该第二侧边；以及

第二阴极，其相邻于该光吸收区域的该第二侧边。

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

半导体层，

其中，该第一阳极为该半导体层中的第一掺杂区域，该第二阳极为该半导体层中的第二掺杂区域，该第一阴极为该半导体层中的第三掺杂区域，该第二阴极为该半导体层中的第四掺杂区域，该第一掺杂区域和该第二掺杂区域具有第一导电类型，且该第三掺杂区域和该第四掺杂区域具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。

11.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

第一浅沟槽隔离区域，其横向位于该第一掺杂区域和该第三掺杂区域之间的该半导体层中；以及

第二浅沟槽隔离区域，其横向位于该第二掺杂区域和该第四掺杂区域之间的该半导体层中；

其中，该第一浅沟槽隔离区域止于该第一侧边，且该第二浅沟槽隔离区域止于该第二侧边。

12.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

介电层，其位于该半导体层的下方，

其中，该第一浅沟槽隔离区域和该第二浅沟槽隔离区域各自穿过该半导体层直至该介电层。

13.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，该半导体层包括沟槽，该光吸收区域是位于该沟槽中的层，该层由锗构成。

14.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，该半导体层包括沟槽，该光吸收区域是位于该沟槽中的层，该层由元素锗构成。

15.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该结构还包括：

第二阳极，其相邻于该第一侧边；以及

第二阴极，其相邻于该第一侧边。