[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 202110209347.7 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN112968034A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 刘宁;袁粲;周斌;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 戴冬瑾 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置。显示面板中的遮光层包括第一电极,有源层包括第二电极,第二电极与第一电极连接;栅极层包括第三电极,第三电极在衬底基板上的正投影与第一电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠以形成第一存储电容;第一导电层包括第四电极,第四电极与第三电极连接,第四电极在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠以形成第二存储电容。本申请实施方式的显示面板及其制作方法和显示装置中,能够增大存储电容的容量,确保驱动晶体管栅极电压的稳定。同时,存储电容的容量增大,还能够有效消除电路中寄生电容的影响,提升显示效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。
背景技术
随着显示装置的分辨率越来越高,像素的尺寸逐渐减小,像素电路中的存储电容中电极的正对面积减小,进而导致存储电容容量减小。在存储电容的容量较小的情况下,存储电容难以维持驱动晶体管的栅极电压的稳定,影响显示效果。
发明内容
本申请的实施方式提供了一种显示面板及其制作方法和显示装置。
本申请实施方式的显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、第一层间介质层和第一导电层,其中,
所述遮光层包括第一电极;
所述有源层包括第二电极,所述第二电极与所述第一电极连接;
所述栅极层包括第三电极,所述第三电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠以形成第一存储电容;
所述第一导电层包括第四电极,所述第四电极与所述第三电极连接,所述第四电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠以形成第二存储电容。
在某些实施方式中,所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
在某些实施方式中,所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第三电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。
在某些实施方式中,所述显示面板包括第一晶体管,所述有源层包括所述第一晶体管的源极区、漏极区和沟道区,所述第一导电层包括所述第一晶体管的源极,所述第一晶体管的源极分别与所述第一晶体管的源极区和所述第一电极连接,所述第二电极与所述第一晶体管的源极区连接。
在某些实施方式中,所述第一晶体管的源极区和漏极区的厚度与所述第二电极的厚度不同。
在某些实施方式中,所述栅极层包括所述第一晶体管的栅极,所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的沟道区相对设置,所述第一晶体管的栅极与所述第三电极连接。
在某些实施方式中,所述显示面板包括第二导电层和第二层间介质层,所述第二层间介质层位于所述第一层间介质层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导电层位于所述第二层间介质层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导电层包括第五电极,所述第五电极与所述第二电极连接,所述第五电极在所述衬底基板上的正投影与所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠以形成第三存储电容。
在某些实施方式中,所述第五电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一电极在所述衬底基板上的正投影。
在某些实施方式中,所述显示面板包括依次层叠设置的第三层间介质层、第一平坦层和第三导电层,所述第三层间介质层位于所述第二层间介质层远离所述衬底基板的一侧,所述第一平坦层位于所述第三层间介质层远离所述衬底基板的一侧,所述第三导电层与所述第二导电层连接。
在某些实施方式中,所述显示面板包括阳极层,所述阳极层与所述第三导电层连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的