[发明专利]一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管在审
| 申请号： | 202110205210.4 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013238A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 间隔 环绕 式场效电晶管 | ||
1.一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于，至少包括：
硅基底、位于所述硅基底上的栅极；所述栅极包括：叠层结构以及位于所述叠层结构上的金属栅；所述叠层结构由金属层和Si层相互交替堆叠而成；位于所述金属栅侧壁的侧墙；位于所述叠层结构侧壁的内侧墙；所述内侧墙包括依附于所述叠层结构中的所述金属层侧壁的SiOCN层；所述叠层结构中的所述Si层延伸至所述SiOCN层之间的区域；
所述侧墙的边缘沿所述叠层结构由上至下延伸至所述硅基底上。
2.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：所述金属栅侧壁的侧墙为SiOCN。
3.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：所述金属栅的材料为钨。
4.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：所述叠层结构中的所述金属层的材料为钨。
5.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：还包括位于所述栅极两侧的所述硅基底上的源漏端。
6.一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于，至少包括：
硅基底、位于所述硅基底上的栅极；所述栅极包括：叠层结构以及位于所述叠层结构上的金属栅；所述叠层结构由金属层和Si层相互交替堆叠而成；位于所述金属栅侧壁的侧墙；位于所述叠层结构侧壁的内侧墙；所述内侧墙包括依附于所述叠层结构中的所述金属层侧壁的SiBCN层；所述叠层结构中的所述Si层延伸至所述SiBCN层之间的区域；
所述侧墙的边缘沿所述叠层结构由上至下延伸至所述硅基底上。
7.根据权利要求6所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：所述金属栅侧壁的侧墙为SiBCN。
8.根据权利要求6所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：所述金属栅的材料为钨。
9.根据权利要求6所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：所述叠层结构中的所述金属层的材料为钨。
10.根据权利要求6所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管，其特征在于：还包括位于所述栅极两侧的所述硅基底上的源漏端。
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