[发明专利]一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法

权利要求书

1.一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成由SiGe层和Si层交替堆叠构成的叠层；

步骤二、利用自对准双重图形法将所述叠层形成为多个相互间隔排列的堆叠结构；

步骤三、在相邻两个所述堆叠结构之间的所述硅基底上制作STI区；

步骤四、在每个所述堆叠结构上形成多晶硅栅极；

步骤五、在所述多晶硅栅极侧壁形成SiOCN材质的侧墙，并去除所述多晶硅栅极两侧的所述堆叠结构；

步骤六、去除所述侧墙下方的所述SiGe层，在所述侧墙下方的所述Si层之间形成腔体；

步骤七、将所述腔体用SiOCN填充，形成内侧墙；

步骤八、在所述多晶硅栅极两侧的硅基底上外延形成源漏端；

步骤九、在所述源漏端以及所述多晶硅栅极上沉积一层间介质层，之后对其研磨至露出所述多晶硅栅极顶部为止；

步骤十、去除所述多晶硅栅极形成凹槽；

步骤十一、去除所述堆叠结构中的所述SiGe层，在所述Si层中间形成空洞；

步骤十二、在所述凹槽和所述空洞中填充金属。

2.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：步骤八中的所述源漏端为SiP或SiGe。

3.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：步骤十一中刻蚀去除所述堆叠结构中的所述SiGe层。

4.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：进行步骤十一后，在有源区形成栅极氧化层。

5.根据权利要求4所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：所述栅极氧化层为HFO2。

6.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：还包括步骤十三、在所述源漏端形成接触孔。

7.根据权利要求1所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：步骤十二中在所述凹槽和所述空洞中填充的金属为钨。

8.一种低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成由SiGe层和Si层交替堆叠构成的叠层；

步骤二、利用自对准双重图形法将所述叠层形成为多个相互间隔排列的堆叠结构；

步骤三、在相邻两个所述堆叠结构之间的所述硅基底上制作STI区；

步骤四、在每个所述堆叠结构上形成多晶硅栅极；

步骤五、在所述多晶硅栅极侧壁形成SiBCN材质的侧墙，并去除所述多晶硅栅极两侧的所述堆叠结构；

步骤六、去除所述侧墙下方的所述SiGe层，在所述侧墙下方的所述Si层之间形成腔体；

步骤七、将所述腔体用SiBCN填充，形成内侧墙；

步骤八、在所述多晶硅栅极两侧的硅基底上外延形成源漏端；

步骤九、在所述源漏端以及所述多晶硅栅极上沉积一层间介质层，之后对其研磨至露出所述多晶硅栅极顶部为止；

步骤十、去除所述多晶硅栅极形成凹槽；

步骤十一、去除所述堆叠结构中的所述SiGe层，在所述Si层中间形成空洞；

步骤十二、在所述凹槽和所述空洞中填充金属。

9.根据权利要求8所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：步骤八中的所述源漏端为SiP或SiGe。

10.根据权利要求8所述的低介电常数内间隔层的环绕式场效电晶管的制作方法，其特征在于：步骤十一中刻蚀去除所述堆叠结构中的所述SiGe层。