[发明专利]锗单晶及锗单晶的热处理工艺在审
| 申请号： | 202110202067.3 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113073386A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王博;冯德伸;易见伟;王宇;李燕;马远飞;于洪国;林泉;雷同光 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B33/02;C22F1/02;C22F1/16 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锗单晶 热处理 工艺 | ||
1.一种锗单晶的热处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在惰性气氛中，对锗单晶依次进行第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段、第二降温阶段的处理；
其中，第一恒温阶段为：升温至750～850℃，然后恒温保持一定时间；
第一降温阶段为：以一定的速度降温至450～550℃；
第二恒温阶段为：在450～550℃的条件下恒温一定时间，并且所述第二恒温阶段的恒温时间大于所述第一恒温阶段的恒温时间；
第二降温阶段为：以一定的速度降温至20～30℃。
2.根据权利要求1所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，在所述第一恒温阶段之前还对所述锗单晶进行预处理：将直径≥250mm的锗单晶截断成一定厚度的锗单晶段。
3.根据权利要求1所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述第一降温阶段中的升温速率为120～180℃/h；所述第一降温阶段和第二降温阶段的降温速率均为25～35℃/h。
4.根据权利要求1所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述第一恒温阶段的恒温时间为12～18h。
5.根据权利要求4所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述第一恒温阶段温度为800±30℃，恒温时间为15～18h。
6.根据权利要求1或4所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述第二恒温阶段的恒温时间为80～95h。
7.根据权利要求6所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述第二恒温阶段温度为500±30℃，恒温时间为90～95h。
8.根据权利要求1所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述热处理工艺在常压下进行，并且通过持续通入氩气实现所述惰性气氛。
9.根据权利要求8所述的锗单晶的热处理工艺，其特征在于，所述氩气的通入流量为20～50slpm；所述真空退火炉的温度控制精度为±0.1℃。
10.一种锗单晶，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的锗单晶的热处理工艺制备得到，所述锗单晶的折射指数均匀性Δn≤1*10-4。
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