[发明专利]相变存储器及其制备方法

说明书

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：多个并列排列的相变存储单元，位于衬底上；电绝缘的隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷。

技术领域

本公开涉及微电子器件技术领域，尤其涉及一种相变存储器及其制备方法。

背景技术

相变存储器是一种新型的非易失性数据存储器件，利用相变材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性或光学特性差异来实现数据存储，但在相变存储单元的操作过程中伴随着复杂的热学过程，会对相变存储器的稳定性产生影响。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种相变存储器及其制备方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供了一种相变存储器，包括：

多个并列排列的相变存储单元，位于衬底上；

电绝缘的隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷。

在一些实施例中，所述隔离结构的组成材料还包括：聚合物。

在一些实施例中，在所述隔离结构的组成材料中，所述陶瓷的含量大于或等于80％。

在一些实施例中，所述隔离结构的组成材料还包括：碳和氧化物。

在一些实施例中，在所述隔离结构的组成材料中，所述陶瓷的含量范围为10％至80％。

在一些实施例中，所述相变存储器还包括：

沿第一方向延伸的多条第一导电线，所述多条第一导电线平行于第二方向并列设置；其中，所述第一方向和所述第二方向，平行于所述衬底所在平面且彼此垂直；

沿第二方向延伸的多条第二导电线；所述多条第二导电线平行于所述第一方向并列设置；

所述相变存储单元，位于所述第一导电线和所述第二导电线之间，且分别垂直于所述第一导电线和所述第二导电线。

在一些实施例中，所述隔离结构包括：

多个第一子隔离结构，沿垂直于所述衬底平面方向延伸，且平行于所述第二方向并列设置，用于电隔离相邻的所述相变存储单元以及相邻的所述第一导电线；

多个第二子隔离结构，沿垂直于所述衬底平面方向延伸，且平行于所述第一方向并列设置，用于电隔离相邻的所述第二导电线以及相邻的所述相变存储单元；

其中，所述第一子隔离结构和/或所述第二子隔离结构的组成材料包括所述陶瓷。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种相变存储器的制备方法，所述方法包括：

在衬底上形成存储单元材料层；

沿垂直于衬底所在的平面方向，形成贯穿所述存储单元材料层的多个电绝缘的隔离结构，以将所述存储单元材料层分割为多个相变存储单元；其中，所述隔离结构的组成材料包括陶瓷。

在一些实施例中，所述形成贯穿所述存储单元材料层的多个电绝缘的隔离结构，包括：

形成贯穿所述存储单元材料层的多个沟槽；

应用溶胶-凝胶旋涂法向所述沟槽填充所述隔离结构的组成材料，以形成所述隔离结构。

在一些实施例中，所述方法还包括：

在形成存储单元材料层之前，在衬底上形成第一导电材料层；

所述在衬底上形成存储单元材料层，包括：在所述衬底上，形成覆盖所述第一导电材料层的所述存储单元材料层；