[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本申请公开了存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种包括多个存储器单元的存储器装置。该存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作。该存储器装置另外包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路以使得在编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环而增加。

技术领域

本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

背景技术

存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是当供电时存储数据并且当电源被切断时丢失所存储的数据的存储器装置。易失性存储器装置可包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。

非易失性存储器装置是当电源被切断时不丢失数据的存储器装置。非易失性存储器装置可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

发明内容

本公开的实施方式涉及一种通过改进阈值电压分布而具有高可靠性的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

根据本公开的实施方式的存储器装置可包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以使得在编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环而增加。

根据本公开的实施方式的存储器装置可包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线的多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到所述多条字线当中的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的一些验证电压的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路基于与所述一些验证电压对应的目标编程状态的数量来确定所述一些验证电压的电压电平并且使用所确定的一些验证电压来执行编程操作。

提供了一种操作存储器装置的方法，该存储器装置执行将数据存储在多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加操作和验证操作，该方法包括以下步骤：将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的字线；以及在验证操作中施加分别比在先前编程循环的验证操作中施加的验证电压增加阶跃电压的验证电压。可基于与要施加到字线的验证电压对应的目标编程状态的数量以及在先前编程循环的验证操作中施加的验证电压的电压电平来确定阶跃电压。

根据本公开的实施方式的存储器装置可包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以使得在验证操作期间，施加到所选字线的至少两个验证电压中的一些具有负电压电平，另一些具有正电压电平。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。

图2是示出图1的存储器装置的结构的图。