[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

多个存储器单元；

外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，其中，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得在所述编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环而增加。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路：

在所述多个编程循环当中的第N编程循环中所包括的验证操作期间，将作为与所述多个存储器单元的多个所述目标编程状态当中的至少两种类型的目标编程状态对应的验证电压的第N循环验证电压施加到所述所选字线，其中，N是等于或大于1的自然数；并且

在第(N+1)编程循环中所包括的验证操作期间，将分别从所述第N循环验证电压增加阶跃电压的第(N+1)循环验证电压施加到所述所选字线。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述阶跃电压根据与所述第(N+1)循环验证电压对应的目标编程状态的数量来确定。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述第(N+1)编程循环中所包括的所述验证操作中将所述第N循环验证电压中的一些施加到所述所选字线。

5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述阶跃电压是根据与各个第(N+1)循环验证电压对应的目标编程状态而大小不同的电压。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，随着分别与所述至少两种类型的存储器单元的所述目标编程状态对应的阈值电压增加，所述阶跃电压具有更高的电压电平。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，随着分别与各个第(N+1)循环验证电压所对应的所述目标编程状态对应的阈值电压降低，所述阶跃电压具有更高的电压电平。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，多个所述第N循环验证电压当中的至少一个验证电压具有负电压电平。

9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，在所述第(N+1)编程循环中所包括的所述验证操作期间，随着所述第(N+1)循环验证电压的电压电平增加，所述第(N+1)循环验证电压首先被施加到所述所选字线。

10.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括连接到多条字线的多个存储器单元；

外围电路，该外围电路被配置为执行编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到所述多条字线当中的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的一些验证电压的验证操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路基于与所述一些验证电压对应的目标编程状态的数量来确定所述一些验证电压的电压电平并且使用所确定的一些验证电压来执行所述编程操作。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述多个编程循环当中的第(N+1)编程循环之前执行的第N编程循环中所包括的验证操作期间施加与施加到所述所选字线的至少两个验证电压所对应的存储器单元的目标编程状态不同的目标编程状态所对应的验证电压，并且在所述第(N+1)编程循环中所包括的验证操作期间基于与所述至少两个验证电压对应的所述存储器单元的所述目标编程状态施加与所述至少两个验证电压相比增加分别与所述至少两个验证电压对应的阶跃电压的第(N+1)循环验证电压。