[发明专利]集成电路器件、生成集成电路布局图的方法及系统在审
| 申请号: | 202110184515.1 | 申请日: | 2021-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN113312869A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 赖柏嘉;郭明璋;高章瑞;张玮玲;陈维仁;庄惠中;斯帝芬·鲁苏;鲁立忠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;H01L27/092 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 器件 生成 布局 方法 系统 | ||
本申请的实施例涉及集成电路器件、生成集成电路布局图的方法及系统。该方法包括将相邻的第一至第四有源区域定位在IC布局图的单元中,第一有源区域是n型或p型的第一类型,并且对应于第一鳍总数,第二有源区域是n型或p型的第二类型,并且对应于第二鳍总数,第三有源区域是第二类型并且对应于第三鳍总数,以及第四有源区域是第一类型并且对应于第四鳍总数。第一和第二鳍总数中的每个大于第三和第四鳍总数中的每个,并且定位第一、第二、第三或第四有源区域中的至少一个由处理器执行。
技术领域
本申请的实施例涉及集成电路器件、生成集成电路布局图的方法及系统。
背景技术
与早期的技术相比,小型化集成电路(IC)的不断发展的趋势已使得逐渐小型化的器件消耗更少的功率,还以更高的速度提供了更多的功能。在一些情况下,IC技术包括鳍式场效应晶体管(FinFET),其中通道几何结构沿多个鳍尺寸缩合。
通过与越来越严格的规范相关的设计和制造创新已经实现了这种小型化。在确保满足设计和制造规范的同时,各种电子设计自动化(EDA)工具用于生成、修改和验证半导体器件的设计。
发明内容
根据本申请实施例的一个方面,提供了一种生成集成电路布局图的方法,方法包括:将第一有源区域定位在集成电路布局图的单元中,第一有源区域是n型或p型的第一类型,并且对应于第一鳍总数;将第二有源区域与第一有源区域相邻地定位在单元中,第二有源区域是n型或p型的第二类型,并且对应于第二鳍总数;将第三有源区域与第二有源区域相邻地定位在单元中,第三有源区域是第二类型并且对应于第三鳍总数;以及将第四有源区域与第三有源区域相邻地定位在单元中,第四有源区域是第一类型并且对应于第四鳍总数,其中,第一和第二鳍总数中的每个大于第三和第四鳍总数中的每个,并且定位第一、第二、第三或第四有源区域中的至少一个由处理器执行。
根据本申请实施例的另一个方面,提供了一种集成电路布局生成系统,包括:处理器;以及非暂时性计算机可读存储介质,其包括用于一个或多个程序的计算机程序代码,非暂时性计算机可读存储介质和计算机程序代码被配置为与处理器一起使系统:将电路的第一组块分配给第一鳍数;使用集成电路布局单元的第一和第二有源区域布置第一组块,第一和第二有源区域共同对应于具有第一鳍数的多个鳍;使用集成电路布局单元的第三和第四有源区域布置电路的第二组块,第三和第四有源区域共同对应于具有比第一鳍数小的第二鳍数的多个鳍;以及基于集成电路布局单元生成集成电路布局文件。
根据本申请实施例的又一个方面,提供了一种集成电路器件,包括:第一电源轨;第二电源轨,电连接至第一电源轨;第三电源轨,位于第一和第二电源轨之间并且与第一和第二电源轨电隔离;第一类型的第一有源区域,与第一电源轨相邻,并且包括第一鳍总数;与第一类型不同的第二类型的第二有源区域,与第一有源区域和第三电源轨相邻,并且包括第二鳍总数;第二类型的第三有源区域,与第三电源轨相邻,并且包括第三鳍总数;以及第一类型的第四有源区域,与第三有源区域和第二电源轨相邻,并且包括第四鳍总数,其中,第一和第二鳍总数的第一总和大于第三和第四鳍总数的第二总和。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各种部件没有被按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
图1是根据一些实施例的生成IC布局图的方法的流程图。
图2描示出根据一些实施例的IC布局图。
图3是根据一些实施例的生成IC布局图的方法的流程图。
图4A-图6示出根据一些实施例的生成IC布局图的方法的操作的非限制性示例。
图7是根据一些实施例的IC器件的示图。
图8是根据一些实施例的IC布局图生成系统的框图。
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