[发明专利]集成电路器件、生成集成电路布局图的方法及系统在审

专利信息
申请号: 202110184515.1 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN113312869A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 赖柏嘉;郭明璋;高章瑞;张玮玲;陈维仁;庄惠中;斯帝芬·鲁苏;鲁立忠 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;H01L27/092
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 器件 生成 布局 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种生成集成电路布局图的方法,所述方法包括:

将第一有源区域定位在所述集成电路布局图的单元中,所述第一有源区域是n型或p型的第一类型,并且对应于第一鳍总数;

将第二有源区域与所述第一有源区域相邻地定位在所述单元中,所述第二有源区域是n型或p型的第二类型,并且对应于第二鳍总数;

将第三有源区域与所述第二有源区域相邻地定位在所述单元中,所述第三有源区域是所述第二类型并且对应于第三鳍总数;以及

将第四有源区域与所述第三有源区域相邻地定位在所述单元中,所述第四有源区域是所述第一类型并且对应于第四鳍总数,

其中

第一和第二鳍总数中的每个大于第三和第四鳍总数中的每个,并且

定位第一、第二、第三或第四有源区域中的至少一个由处理器执行。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括基于所述集成电路布局图制造以下中的至少一个:

一个或多个半导体掩模,或

半导体集成电路的层中的至少一个组件。

3.根据权利要求1所述的方法,其中

第一和第二鳍总数中的每个大于或等于三,并且

第三和第四鳍总数中的每个小于或等于二。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,以下中的至少一个:

所述第一鳍总数等于所述第二鳍总数,或

所述第三鳍总数等于所述第四鳍总数。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,将第一至第四有源区域定位在单元中包括将第一至第四有源区域定位在双倍高度单元中。

6.根据权利要求1所述的方法,其中

定位第二和第三有源区域包括将电源轨迹与第二和第三有源区域跨接,并且

所述电源轨迹对应于参考电源轨并且所述第二类型是n型,或者所述电源轨迹对应于供电电源轨,并且所述第二类型是p型。

7.根据权利要求1所述的方法,还包括:

使第一至第四有源区域中的每个与栅极区域相交,并且

使所述栅极区域与切割多晶硅区域相交。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述集成电路布局图存储在单元库中。

9.一种集成电路布局生成系统,包括:

处理器;以及

非暂时性计算机可读存储介质,其包括用于一个或多个程序的计算机程序代码,所述非暂时性计算机可读存储介质和所述计算机程序代码被配置为与所述处理器一起使所述系统:

将电路的第一组块分配给第一鳍数;

使用集成电路布局单元的第一和第二有源区域布置所述第一组块,所述第一和第二有源区域共同对应于具有所述第一鳍数的多个鳍;

使用所述集成电路布局单元的第三和第四有源区域布置所述电路的第二组块,所述第三和第四有源区域共同对应于具有比所述第一鳍数小的第二鳍数的多个鳍;以及

基于所述集成电路布局单元生成集成电路布局文件。

10.一种集成电路器件,包括:

第一电源轨;

第二电源轨,电连接至所述第一电源轨;

第三电源轨,位于第一和第二电源轨之间并且与第一和第二电源轨电隔离;

第一类型的第一有源区域,与所述第一电源轨相邻,并且包括第一鳍总数;

与所述第一类型不同的第二类型的第二有源区域,与所述第一有源区域和所述第三电源轨相邻,并且包括第二鳍总数;

所述第二类型的第三有源区域,与所述第三电源轨相邻,并且包括第三鳍总数;以及

所述第一类型的第四有源区域,与所述第三有源区域和所述第二电源轨相邻,并且包括第四鳍总数,

其中,第一和第二鳍总数的第一总和大于第三和第四鳍总数的第二总和。

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