[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以方便的形成隔离部，降低太阳能电池漏电的几率。该太阳电池的制作方法包括如下步骤：提供一硅基底；在硅基底的背面形成隧穿层；在隧穿层上形成非晶硅层；对非晶硅层的第一部分进行处理，形成掺杂多晶硅区域以及环绕在掺杂多晶硅区域外的非晶硅区域；去除非晶硅区域、以及被非晶硅区域覆盖的隧穿层；获得钝化接触结构以及环绕在钝化接触结构外的隔离部。本发明提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

随着太阳能光伏技术的发展，隧穿钝化接触(TOPCon)电池具有较好的钝化接触性能，逐渐成为典型的高效太阳能电池。在制作TOPCon电池的过程中，通常先在硅片背面的隧穿层上生长一层本征非晶硅，再通过热扩散等方式对本征非晶硅进行掺杂，使本征非晶硅晶化成为掺杂多晶硅层，以形成钝化接触结构。在热扩散过程中，掺杂杂质不仅会进入本征非晶硅层和绕镀非晶硅层，还会进入硅片的背面和侧面，形成掺杂层。

钝化接触结构所包括的掺杂多晶硅层与硅片侧面、正面的掺杂层相连时，容易出现漏电问题，大大降低电池性能。即使后续工艺中，会去除绕镀掺杂多晶硅层，仍然无法去除硅片侧面的掺杂层。并且，多晶硅相比非晶硅难以去除干净，容易存在残留的绕镀掺杂多晶硅层，引发漏电问题。

现有技术中，也会对硅片进行边缘隔离处理，但是处理工艺复杂且处理效果不理想。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，以方便的形成隔离部，降低太阳能电池漏电的几率。

第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳电池的制作方法包括如下步骤：

提供一硅基底；

在硅基底的背面形成隧穿层；

在隧穿层上形成非晶硅层；

对非晶硅层的第一部分进行处理，形成掺杂多晶硅区域以及环绕在掺杂多晶硅区域外的非晶硅区域；

去除非晶硅区域、以及被非晶硅区域覆盖的隧穿层；获得钝化接触结构以及环绕在钝化接触结构外的隔离部。

采用上述技术方案时，可以形成环绕钝化接触结构的隔离部，从而可以将钝化接触结构的掺杂多晶硅层与硅基底侧面、正面隔离开，降低太阳能电池漏电的几率。在形成隔离部的过程中，对拟形成隔离部的非晶硅层部分不进行处理形成非晶硅区域，仅对拟形成隔离部以外的非晶硅层部分(第一部分)进行处理，形成钝化接触结构。此时，拟形成隔离部的非晶硅层部分仍为非晶硅材料，非晶硅层的第一部分为掺杂多晶硅材料。这种情况下，可以利用非晶硅材料与掺杂多晶硅材料之间刻蚀速率的差异，方便的去除非晶硅区域和被其覆盖的隧穿层，形成隔离部，保留钝化接触结构。

与现有技术相比，本发明利用材料的刻蚀速率差异形成隔离部，无需利用掩膜等辅助手段，可以减少工艺步骤，简化工艺，降低工艺难度。并且本发明去除非晶硅材料形成隔离部，而非多晶硅材料。鉴于非晶硅材料的刻蚀速率较快，从而可以提高制作隔离部的工作效率。由此可见，本发明太阳能电池的制作方法，不仅可以降低太阳能漏电的几率，而且可以降低隔离部的制作难度，缩短制作周期和降低成本。

在一些实现方式中，上述非晶硅层为本征非晶硅层或掺杂非晶硅层。无论本征非晶硅层，还是掺杂非晶硅层，其与掺杂多晶硅层之间均存在明显的刻蚀速率差异，可以方便的被去除。

在一些实现方式中，当非晶硅层为掺杂非晶硅层，对非晶硅层的第一部分进行处理包括：对非晶硅层的第一部分进行热处理。非晶硅层的第一部分经过热处理转变成掺杂多晶硅，非晶硅层的其余部分仍为非晶硅。此时，针对非晶硅层的第一部分的热处理操作，可以形成材料不同的掺杂多晶硅区域和非晶硅区域，进而方便去除其中的非晶硅区域。