[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一硅基底；

在所述硅基底的背面形成隧穿层；

在所述隧穿层上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层的第一部分进行处理，形成掺杂多晶硅区域以及环绕在所述掺杂多晶硅区域外的非晶硅区域；

去除所述非晶硅区域、以及被所述非晶硅区域覆盖的所述隧穿层；获得钝化接触结构以及环绕在所述钝化接触结构外的隔离部。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述非晶硅层为本征非晶硅层或掺杂非晶硅层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，当所述非晶硅层为掺杂非晶硅层，对所述非晶硅层的第一部分进行处理包括：

对所述非晶硅层的第一部分进行热处理。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，当所述非晶硅层为本征非晶硅层，对所述非晶硅层进行的第一部分进行处理包括：

对所述非晶硅层的第一部分进行掺杂处理；然后对所述非晶硅层的第一部分进行热处理；其中，所述掺杂处理的工艺为离子注入工艺或掺杂源涂布推进工艺。

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述热处理为激光热处理、离子束热处理或电子束热处理；其中，所述激光热处理所采用的激光包括红外激光、绿光激光、紫外激光中的任一种；和/或，

所述激光热处理所采用的激光功率为5W～100W；和/或，

所述激光热处理的能量注入值为50mJ/cm²～1000mJ/cm²。

6.根据权利要求3或4所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，

所述热处理的气氛环境含有水蒸气；所述水蒸气的流量为1sccm-500sccm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述去除的工艺为槽式工艺或链式单面工艺。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述去除的工艺为刻蚀工艺，所述刻蚀工艺采用的刻蚀剂为碱性刻蚀剂，刻蚀温度为25℃～80℃，刻蚀时间为1min～60min；其中，所述碱性刻蚀剂包括NaOH、KOH、或有机碱试剂中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，去除所述非晶硅区域、以及被所述非晶硅区域覆盖的所述隧穿层的工艺相同；和/或，

去除所述非晶硅区域、以及被所述非晶硅区域覆盖的所述隧穿层在同一工艺中完成。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述隧穿层的材料为氮氧化硅、碳化硅、氮化硅、氧化铝、氧化硅中的一种或多种；和/或，所述隔离部的宽度为1nm～1mm。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述太阳能电池的制作方法还包括：

在所述钝化接触结构上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述隔离部和所述钝化接触结构；

在所述钝化层上形成与所述钝化接触结构电接触的电极。

12.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求1～11任一种太阳电池的制作方法制作而成。