[发明专利]化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法

说明书

本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的化学机械抛光浆料组合物和一种使用其抛光钨图案晶片的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：选自极性溶剂和非极性溶剂当中的至少一种；磨料剂；以及氧化剂，其中磨料剂包含用含有三个氮原子的氨基硅烷改性的二氧化硅。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年1月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0009406号的权益，所述专利申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物和一种使用其抛光钨图案晶片的方法。更具体地说，本发明涉及一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物(所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度而不在抛光时产生表面缺陷)以及一种使用其抛光钨图案晶片的方法。

背景技术

化学机械抛光(chemical mechanical polishing；CMP)组合物和抛光(或展平)基底的表面的方法在相关技术中为人所熟知。用于抛光半导体基底上的金属层(例如钨层)的抛光组合物可包含悬浮在水溶液中的磨料粒子和化学促进剂(例如氧化剂、催化剂等)。

使用CMP组合物抛光金属层的工艺包含：仅抛光金属层；抛光金属层和阻挡层；以及抛光金属层、阻挡层以及氧化物层。在这些步骤当中，在抛光金属层、阻挡层以及氧化物层的步骤中，使用用于抛光钨图案晶片的组合物并且可在以合适的抛光速率抛光金属层和氧化物层的条件下获得良好的抛光平整度。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物，所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度而不在抛光时产生表面缺陷。

根据本发明的一个方面，一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物包含：选自极性溶剂和非极性溶剂当中的至少一种溶剂；磨料剂；以及氧化剂，其中磨料剂包含用含有三个氮原子的氨基硅烷改性的二氧化硅。

根据本发明的另一方面，一种抛光钨图案晶片的方法包含：使用根据本发明的用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物来抛光钨图案晶片。

本发明提供一种用于抛光钨图案晶片的CMP浆料组合物，所述组合物可改进钨图案晶片的抛光速率和平整度而不在抛光时产生表面缺陷。

具体实施方式

如本文中所使用，术语“经取代或未经取代的”中的术语“经取代的”意指对应官能基中的至少一个氢原子用选自以下群组的一个取代：羟基、C₁至C₁₀烷基或卤代-烷基、C₂至C₁₀烯基或卤代-烯基、C₂至C₁₀炔基或卤代-炔基、C₃至C₁₀环烷基、C₃至C₁₀环烯基、C₆至C₁₀芳基、C₇至C₁₀芳烷基、C₁至C₁₀烷氧基、C₆至C₁₀芳氧基、氨基、卤代基、氰基以及硫醇基。

在本文中，“一价脂族烃基”可为经取代或未经取代的C₁至C₂₀直链或支链烷基，优选地为C₁至C₁₀烷基，更优选地为C₁至C₅烷基。

在本文中，“一价脂环烃基”可为经取代或未经取代的C₃至C₂₀环烷基，优选地为C₃至C₁₀环烷基，更优选地为C₃至C₅环烷基。