[发明专利]化学机械抛光浆料组合物和使用其抛光钨图案晶片的方法在审
| 申请号: | 202110087744.1 | 申请日: | 2021-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN113150694A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 金元中;具仑永;朴泰远;李义郞;李种元;赵娟振 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址: | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 机械抛光 浆料 组合 使用 抛光 图案 晶片 方法 | ||
1.一种化学机械抛光浆料组合物,用于抛光钨图案晶片,包括:
选自极性溶剂和非极性溶剂当中的至少一种;
磨料剂;以及
氧化剂,
其中所述磨料剂包括用含有三个氮原子的氨基硅烷改性的二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中所述含有三个氮原子的氨基硅烷包括式1化合物、自所述式1化合物衍生的阳离子或所述式1化合物的盐:
其中X1、X2以及X3各自独立地为氢原子、羟基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C20芳基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基或经取代或未经取代的C6至C20芳氧基,
X1、X2以及X3中的至少一个为羟基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基或经取代或未经取代的C6至C20芳氧基;
Y1、Y2以及Y3各自独立地为二价脂族烃基、二价脂环烃基或二价芳烃基;且
R1和R2各自独立地为氢原子、羟基、经取代或未经取代的C1至C20一价脂族烃基、经取代或未经取代的C3至C20一价脂环烃基或经取代或未经取代的C6至C20一价芳烃基。
3.根据权利要求2所述的化学机械抛光浆料组合物,其中在式1中,Y1、Y2以及Y3各自独立地为C1至C5亚烷基,且R1和R2各自独立地为氢原子。
4.根据权利要求2所述的化学机械抛光浆料组合物,其中所述式1化合物包括选自以下各者当中的至少一种:二乙烯三氨基丙基三甲氧基硅烷、二乙烯三氨基丙基三乙氧基硅烷、二乙烯三氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、二乙烯三氨基丙基甲基二乙氧基硅烷以及二乙烯三氨基甲基甲基二乙氧基硅烷。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中用所述含有三个氮原子的氨基硅烷改性的所述二氧化硅在其表面上具有正电荷并且具有10毫伏到60毫伏的表面电势。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中所述化学机械抛光浆组合物具有3到6的pH值。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,其中用所述含有三个氮原子的所述氨基硅烷改性的所述二氧化硅具有10纳米到200纳米的平均粒径D50。
8.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物,还包括:
选自催化剂和有机酸当中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的化学机械抛光浆料组合物,包括:
0.001重量%到20重量%的所述磨料剂;
0.01重量%到20重量%的所述氧化剂;
0.001重量%到10重量%的所述催化剂;
0.001重量%到20重量%的所述有机酸;以及
余量的所述溶剂。
10.一种抛光钨图案晶片的方法,包括:使用如权利要求1至9中任一项所述的化学机械抛光浆料组合物来抛光钨图案晶片。
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