[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
申请号: | 202110086559.0 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN113130482A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 杨松鑫;郑宗期;萧茹雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管在第一区域中,所述第一晶体管包括:
沿第一方向纵向延伸的第一栅极结构,以及
在所述第一栅极结构的侧壁上方的第一栅极间隔层、第二栅极间隔层和第三栅极间隔层;以及
第二晶体管,所述第二晶体管在第二区域中,所述第二晶体管包括:
沿所述第一方向纵向延伸的第二栅极结构,以及
在所述第二栅极结构的侧壁上方的所述第一栅极间隔层和所述第三栅极间隔层,
其中,所述第一栅极间隔层、所述第二栅极间隔层和所述第三栅极间隔层的组成不同,
其中,所述第三栅极间隔层直接位于所述第二区域中的所述第一栅极间隔层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,在所述第一区域中,所述第二栅极间隔层设置在所述第一栅极间隔层上方,并且所述第三栅极间隔层设置在所述第二栅极间隔层上方。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一栅极结构沿垂直于所述第一方向的第二方向的宽度大于所述第二栅极结构沿所述第二方向的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第二栅极间隔层包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一栅极间隔层包括碳氮氧化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第三栅极间隔层包括氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第三栅极间隔层包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中,所述第一栅极间隔层具有第一厚度,所述第二栅极间隔层具有第二厚度,并且所述第三栅极间隔层具有第三厚度,
其中,所述第二厚度大于所述第一厚度和所述第三厚度。
9.一种半导体器件,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管在第一区域中,所述第一晶体管包括:
沿第一方向纵向延伸的第一栅极结构,以及
在所述第一栅极结构的侧壁上方的第一栅极间隔层、第二栅极间隔层、第三栅极间隔层和第四栅极间隔层;以及
第二晶体管,所述第二晶体管在第二区域中,所述第二晶体管包括:
沿所述第一方向纵向延伸的第二栅极结构,以及
在所述第二栅极结构的侧壁上方的所述第一栅极间隔层、所述第三栅极间隔层和所述第四栅极间隔层,
其中,所述第四栅极间隔层、所述第三栅极间隔层和所述第二栅极间隔层的组成不同,
其中,所述第三栅极间隔层直接位于所述第二区域中的所述第一栅极间隔层上。
10.一种形成半导体器件的方法,包括:
在衬底的第一区域上方沉积第一伪栅极堆叠件,并且在衬底的第二区域上方沉积第二伪栅极堆叠件;
在所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件上方沉积第一间隔材料层;
在所述第一间隔材料层上方沉积第二间隔材料层;
回蚀刻所述第二间隔材料层;
选择性地移除所述第二区域中的所述第二间隔材料层;
在选择性地移除之后,在所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件上方沉积第三间隔材料层;以及
蚀刻所述第一间隔材料层、所述第二间隔材料层和所述第三间隔材料层,以沿着所述第一伪栅极堆叠件的侧壁形成第一栅极间隔件,并沿着所述第二伪栅极堆叠件的侧壁形成第二栅极间隔件,
其中,所述第一栅极间隔材料层、所述第二栅极间隔材料层和所述第三栅极间隔材料层的组成不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的