[发明专利]电感器结构及形成其的方法在审
申请号: | 202110068123.9 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN113206060A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 徐鸿文;黄柏翰;黄伟立 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感器 结构 形成 方法 | ||
本发明的一部分涉及一种电感器结构及形成其的方法,所述电感器结构包括:刻蚀停止层,布置在内连结构之上,内连结构上覆在衬底上。磁性结构包括布置在刻蚀停止层之上的多个堆叠层。磁性结构包括比最顶层宽的最底层。第一导电配线与第二导电配线在磁性结构之上平行地延伸。磁性结构被配置成修改由第一导电配线及第二导电配线产生的磁场。图案增强层布置在磁性结构的最底层与刻蚀停止层之间。图案增强层具有第一厚度,且磁性结构的最底层具有小于第一厚度的第二厚度。
技术领域
本发明实施例涉及一种电感器结构及形成其的方法。
背景技术
集成电路(integrated circuit,IC)是位于半导体材料的片段上的电子组 件的总成。集成电路中广泛使用的电子组件是电感器。电感器是无源元件, 当电流流经电感器时,所述无源元件在磁场中存储电能。电感器是多功能 装置,除此之外,所述电感器可用于电阻器-电感器(resistor-inductor,RL) 滤波器、电感器-电容器(inductor-capacitor,LC)电路、电阻器-电感器- 电容器(resistor-inductor-capacitor,RLC)电路、电源、变压器以及许多其 他电路组件。
发明内容
本发明实施例提供一种电感器结构包括:刻蚀停止层,布置在内连结 构之上,所述内连结构上覆在衬底上;磁性结构,包括布置在所述刻蚀停 止层之上的多个堆叠层,所述磁性结构包括比最顶层宽的最底层;第一导 电配线与第二导电配线,在所述磁性结构之上平行地延伸,其中所述磁性 结构被配置成修改由所述第一导电配线及所述第二导电配线产生的磁场; 以及图案增强层,布置在所述磁性结构的所述最底层与所述刻蚀停止层之间,其中所述图案增强层具有第一厚度,且其中所述磁性结构的所述最底 层具有小于所述第一厚度的第二厚度。
本发明实施例提供一种电感器结构包括:内连结构,设置在半导体衬 底之上;第一刻蚀停止层,布置在所述内连结构之上;第一磁性结构,布 置在所述第一刻蚀停止层之上,所述第一磁性结构包括位于最下钽层与最 顶氧钴锌钽层之间的钴锌钽层;一条或多条导电配线,设置在所述第一磁 性结构之上且界定电感器;以及图案增强层,布置在所述最下钽层与所述 第一刻蚀停止层之间。
本发明实施例提供一种形成电感器结构的方法,包括:在第一刻蚀停 止层之上形成第一图案增强层;在所述第一图案增强层之上形成磁性结构, 其中所述磁性结构包括氧钴锌钽(OCZT)材料层、钽材料层、及钴锌钽 (CZT)材料层,其中所述第一图案增强层直接接触所述钽材料层中的一者; 以及移除所述磁性结构的外围部分及所述第一图案增强层的外围部分,其 中在第一刻蚀工艺中通过相同的刻蚀剂刻蚀所述磁性结构与所述第一图案增强层。
附图说明
当结合附图阅读时,自以下详细说明最好地理解本发明的各个方面。 应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上, 为使论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A到图1B示出电感器结构的一些实施例的剖视图,所述电感器结 构具有位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构(magnetic shielding structure)之间的第一图案增强层。
图2到图4示出位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构之间的第一 图案增强层的一些附加实施例的剖视图。
图5示出电感器结构的一些附加实施例的剖视图,所述电感器结构具 有位于第一刻蚀停止层与第一磁性屏蔽结构之间的第一图案增强层,且具 有位于第二刻蚀停止层与第二磁性屏蔽结构之间的第二图案增强层。
图6示出具有第一图案增强层以及第二磁性屏蔽结构的电感器结构的 一些附加实施例的剖视图,第一图案增强层位于第一磁性屏蔽结构下方, 第二磁性屏蔽结构具有在第二磁性屏蔽结构的最顶部分下方凹陷的中心部 分。
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