[发明专利]一种高延展性的高性能半导体共轭聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种高延展性的高性能半导体共轭聚合物，其特征在于：

所述半导体共轭聚合物是基于精确调节的烷基直链以及可调节的有机硅氧烷基团作为侧链R的半导体共轭聚合物，其结构如下所示：

2.一种权利要求1所述的高延展性的高性能半导体共轭聚合物的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1：受体单元的烷基化

以卤化烷基直链烯与受体单元为原料，在K₂CO₃的存在下于溶剂中进行卤代反应，获得连接了烷基直链的受体单元；

步骤2：硅氧烷的加成

以步骤1获得的连接了烷基直链的受体单元和有机硅氧烷为原料，在催化剂的存在下于溶剂中进行加成反应，获得连接了侧链的受体单元；

步骤3：溴化反应

将步骤2获得的连接了侧链的受体单元与NBS在溶剂中进行溴化反应，室温下反应获得溴化的受体单元；溴化反应中加入自由基捕获剂Tempo，能够获得高产率的溴化产物；

步骤4：偶联

将步骤3获得的溴化的受体单元与给体单元进行偶联反应，偶联反应在催化剂和配体的存在下于溶剂中进行，获得目标聚合物。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤1中，所述卤化烷基直链烯为C7-C11的直链烯烃；所述受体单元为吡咯并吡咯二酮；卤化烷基直链烯与受体单元的反应当量比为1:2-2.5。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤2中，所述有机硅氧烷包括精确控制长度的直链或分叉有机硅氧烷，其结构通式如下所示：

其中p1＝4或6，p2＝2。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤2中，连接了烷基直链的受体单元和有机硅氧烷的反应当量比为1:2-2.5。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤3中，连接了侧链的受体单元与NBS的反应当量比为1:2-2.5。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤3中，获得的溴化产物为双溴化的受体单元。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤4中，所述给体单元为所述催化剂为三(二亚苄基丙酮)二钯；所述配体为三(邻甲基苯基)磷；所述溶剂包括氯苯、甲苯。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤4中，溴化的受体单元与给体单元的反应当量比为1:1；催化剂和配体的投料比分别为4％和16％。