[发明专利]像素排布结构、电子设备及高精度金属掩模板有效
申请号: | 202110060699.0 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112885875B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 李彦松;吴海东;白珊珊;杜小波;樊星;王蓓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排布 结构 电子设备 高精度 金属 模板 | ||
本公开涉及显示技术领域,公开了一种像素排布结构、电子设备及高精度金属掩模板;像素排布结构包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;在第一方向上,第一子像素和第二子像素交替排列形成第一行,第三子像素和第二子像素交替排列形成第二行;在第二方向上,第一行和第二行交替排列,且第一子像素和第二子像素交替排列形成第一列,第三子像素和第二子像素交替排列形成第二列,第一方向和第二方向垂直;相邻两个第一子像素相互垂直或相邻两个第三子像素相互垂直,或相邻两个第一子像素相互垂直且相邻两个第三子像素相互垂直;第二子像素设置为长条状,第二子像素的长度方向与相邻的第三子像素的边沿平行。该像素排布结构寿命较长。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种像素排布结构、包括该像素排布结构的电子设备及高精度金属掩模板。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA(Personal Digital Assistant,掌上电脑)、数码相机等平板显示领域,OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(LiquidCrystal Display,LCD)。
OLED显示器件的结构主要包括:衬底基板,制作在衬底基板上呈矩阵排列的像素。其中,各像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板,在阵列基板上的相应的像素位置形成有机电致发光结构。但是,目前OLED显示器件内,像素排布结构中像素之间的距离较大,导致同等分辨率的条件下,像素开口面积较小,从而需要增大驱动电流才能满足显示的亮度要求。而OLED在大的驱动电流下工作容易导致器件老化速度增快,从而缩短OLED显示器件的寿命。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的像素之间的距离较大的不足,提供一种像素排布结构、包括该像素排布结构的电子设备及高精度金属掩模板。
根据本公开的一个方面,提供了一种像素排布结构,其特征在于,包括:第一子像素、第二子像素和第三子像素;
在第一方向上,所述第一子像素和所述第二子像素交替排列形成第一行,所述第三子像素和所述第二子像素交替排列形成第二行;
在第二方向上,所述第一行和所述第二行交替排列,且所述第一子像素和所述第二子像素交替排列形成第一列,所述第三子像素和所述第二子像素交替排列形成第二列,所述第一方向和所述第二方向垂直;
相邻两个所述第一子像素相互垂直或相邻两个所述第三子像素相互垂直,或相邻两个所述第一子像素相互垂直且相邻两个所述第三子像素相互垂直;
所述第二子像素设置为长条状,所述第二子像素的长度方向与相邻的所述第三子像素的边沿平行。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一子像素设置为长方形;所述第一子像素与相邻的所述第二子像素在所述第一子像素的长边的延伸方向上的间距为第一间距,所述第一子像素与相邻的所述第二子像素在所述第一子像素的短边的延伸方向上的间距为第二间距,所述第一间距大于所述第二间距。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一子像素设置为正方形;所述第一子像素与相邻的所述第二子像素在所述第一方向上的间距为第三间距,所述第一子像素与相邻的所述第二子像素在所述第二方向上的间距为第四间距,所述第三间距大于所述第四间距。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第三子像素设置为长方形,在第一方向上相邻两个所述第三子像素的长边相互垂直,在第二方向上相邻两个所述第三子像素的长边相互垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的