[发明专利]像素排布结构、电子设备及高精度金属掩模板有效
申请号: | 202110060699.0 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN112885875B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 李彦松;吴海东;白珊珊;杜小波;樊星;王蓓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排布 结构 电子设备 高精度 金属 模板 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:第一子像素、第二子像素和第三子像素;
在第一方向上,所述第一子像素和所述第二子像素交替排列形成第一行,所述第三子像素和所述第二子像素交替排列形成第二行;
在第二方向上,所述第一行和所述第二行交替排列,且所述第一子像素和所述第二子像素交替排列形成第一列,所述第三子像素和所述第二子像素交替排列形成第二列,所述第一方向和所述第二方向垂直;
相邻两个所述第一子像素相互垂直且相邻两个所述第三子像素相互垂直;
所述第二子像素设置为长条状,所述第二子像素的长度方向与相邻的所述第三子像素的边沿平行;所述第一子像素设置为长方形;所述第一子像素与相邻的所述第二子像素在所述第一子像素的长边的延伸方向上的间距为第一间距,所述第一子像素与相邻的所述第二子像素在所述第一子像素的短边的延伸方向上的间距为第二间距,所述第一间距大于所述第二间距;
所述第三子像素设置为长方形,在第一方向上相邻两个所述第三子像素的长边相互垂直,在第二方向上相邻两个所述第三子像素的长边相互垂直;
所述第三子像素与相邻的所述第二子像素在所述第三子像素的长边的延伸方向上的间距为第五间距,所述第三子像素与相邻的所述第二子像素在所述第三子像素的短边的延伸方向上的间距为第六间距,所述第五间距大于所述第六间距。
2.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二子像素设置为非等边多边形或者椭圆形,分布在相邻三行三列的四个所述第二子像素形成一个虚拟平行四边形。
3.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,在第一方向上相邻的两个第一子像素之间的间距为第七间距,在第二方向上相邻的两个第一子像素之间的间距为第八间距,所述第八间距大于或等于所述第七间距;
在第一方向上相邻的两个第三子像素之间的间距为第九间距,在第二方向上相邻的两个第三子像素之间的间距为第十间距,所述第九间距大于或等于所述第十间距。
4.根据权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,第一子像素为红色子像素,第二子像素为绿色子像素,第三子像素为蓝色子像素。
5.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的像素排布结构。
6.一种高精度金属掩模板,用于制作如权利要求1-4任一项所述的像素排布结构,其特征在于,包括:多个开口区域,所述开口区域与所述第一子像素,第二子像素或第三子像素的形状和位置对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的