[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有第一导电层；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口，且所述第一开口暴露出所述第一导电层；

采用第一选择性沉积工艺，在所述第一开口内形成第一插塞材料层，且所述第一插塞材料层顶部表面低于所述第一介质层顶部表面；

形成所述第一插塞材料层之后，对所述第一介质层进行离子注入工艺，减小所述第一插塞材料层和第一介质层之间的间隙；

所述离子注入工艺之后，对所述第一介质层暴露出的表面进行修复处理；

所述修复处理之后，采用第二选择性沉积工艺，在所述第一开口内的第一插塞材料层表面形成第二插塞材料层，所述第二插塞材料层填充满所述第一开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的离子的相对原子质量，大于所述第一介质层材料中的一种元素原子的相对原子质量。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料含有硅元素和氧元素，所述离子的相对原子质量大于硅元素原子的相对原子质量。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子包括：锗离子或者锡离子。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述修复处理的方法包括：通入还原性气体。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述还原性气体包括含氢的还原性气体；所述含氢的还原性气体包：氢气和NH₃中的一种或者两种组合。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第一插塞材料层之后，所述修复处理之前，轰击所述第一插塞材料层，使部分第一插塞材料层被溅射的材料附着在部分第一开口侧壁表面形成粘附层；所述第二插塞材料层位于所述粘附层表面。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述高于第一插塞材料层顶部表面的第一开口包括：底部区和位于所述底部区上的顶部区，所述粘附层位于所述底部区侧壁表面。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，轰击所述第一插塞材料层的方法包括：采用惰性气体的等离子体轰击所述第一插塞材料层；所述惰性气体包括氩气、氖气和氦气中的一种或者多种组合。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述修复处理之前，进行所述轰击处理。

11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述修复处理之后，进行所述轰击处理。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二插塞材料层之后，在所述第一介质层表面和第二插塞材料层表面形成导电材料膜；平坦化所述导电材料膜、第一插塞材料层以及第二插塞材料层，在所述第一开口内形成第一插塞，使所述第一插塞达到预设高度。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电材料膜的形成方法包括：在所述第一介质层表面和第二插塞材料层表面形成粘附材料层；在所述粘附材料层形成籽晶材料层；在所述籽晶材料层表面形成第一体导电材料层；在所述第一体导电材料层表面形成第二体导电材料层，且所述第一体导电材料层的厚度小于所述第二体导电材料层，所述籽晶材料层的厚度小于所述第二体导电材料层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述籽晶材料层的厚度范围为0埃至50埃。