[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。

技术领域

本公开涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。

背景技术

在作为半导体装置的一种的功率半导体装置中，为了使开关高速化，有时通过使存在于硅晶片的点缺陷以及杂质复合化，形成复合缺陷。在专利文献1以及专利文献2中，公开了通过在功率半导体装置中形成复合缺陷，除了改善开关特性以外，还能够降低开关损耗、改善反向恢复特性(降低恢复浪涌电压等)、改善短路耐量等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/000838号

专利文献2：国际公开第2016/204097号

发明内容

然而，作为形成复合缺陷的杂质之一的氧的浓度由于硅晶片的制造偏差在每个硅晶片中不同，所以存在功率半导体装置的特性会出现偏差这样的问题。

因此，本公开是鉴于如上述的问题而完成的，其目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。

本公开所涉及的半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大所述硅晶片的氧浓度的氧的导入，在所述硅晶片的氧浓度大于所述阈值的情况下，进行减小所述硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，在所述第1工序后，在所述硅晶片的第1面形成第1面构造；第3工序，在所述第1工序后，从与所述第1面相反侧的第2面对所述硅晶片进行研磨；以及第4工序，在所述第3工序后，在所述硅晶片的所述第2面形成第2面构造。

根据本公开，在硅晶片的氧浓度小于阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出。根据这样的结构，能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差。

本公开的目的、特征、方式以及优点通过以下的详细的说明和附图将变得更加明确。

附图说明

图1是示出实施方式1所涉及的功率半导体装置的制造方法的流程图。

图2是用于说明实施方式1所涉及的氧导入导出工序的图。

图3是用于说明实施方式1所涉及的氧导入导出工序的图。

图4是用于说明实施方式1所涉及的氧导入导出工序的图。

图5是用于说明实施方式1所涉及的研磨工序的图。

图6是示出实施方式1所涉及的功率半导体装置的制造方法的结果的图。

图7是示出实施方式2所涉及的功率半导体装置的结构的主要部分的剖面图。

图8是示出实施方式2所涉及的功率半导体装置的结构的主要部分的剖面图。

图9是示出实施方式3所涉及的功率半导体装置的结构的主要部分的剖面图。

图10是示出实施方式3所涉及的功率半导体装置的结构的主要部分的剖面图。

(符号说明)

1、11：半导体区域；2a：阳极区域；2b：阳极电极；3a：阴极区域；3b：阴极电极；7、17：复合缺陷；12a：基极区域；12b：发射极区域；12c：基极接触区域；12d：栅极绝缘膜；12e：沟槽栅电极；12f：发射极电极；13a：集电极区域；13b：集电极电极。