[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备：

第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大所述硅晶片的氧浓度的氧的导入，在所述硅晶片的氧浓度大于所述阈值的情况下，进行减小所述硅晶片的氧浓度的氧的导出；

第2工序，在所述第1工序后，在所述硅晶片的第1面形成第1面构造；

第3工序，在所述第1工序后，从与所述第1面相反侧的第2面对所述硅晶片进行研磨；以及

第4工序，在所述第3工序后，在所述硅晶片的所述第2面形成第2面构造。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述第1工序中，在与氧化膜以及氧气氛的至少任意一个相接的状态下对所述硅晶片进行退火，

在将所述退火的时间设为t(秒)，将所述退火的温度设为作为1000℃以上且1300℃以下的T(K)，将所述第3工序后的所述硅晶片的厚度设为d(cm)，将k设为以eV/K单位换算而得到的玻尔兹曼常数，将erfc^-1设为互补误差函数erfc的反函数的情况下，下式成立：

t≥{d/[2×√D×erfc^-1(1×10¹⁵/C_s)]}²、

D＝0.28×exp(-2.53/kT)、

C_s＝6×10²²exp(-1.61/kT)。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其中，还具备：

第5工序，在所述第1工序后，对所述硅晶片照射荷电粒子束而形成点缺陷；以及

第6工序，在所述第5工序后，进行用于包括所述点缺陷和所述氧的复合缺陷的形成以及所述点缺陷的一部分的消灭的至少任意一个的退火。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述第5工序中，对所述硅晶片的所述第1面或者所述第2面照射电子束作为所述荷电粒子束，从而在所述第3工序后的所述硅晶片的整体部分形成所述点缺陷。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述第5工序中，对所述硅晶片的所述第1面或者所述第2面照射质子或者氦离子作为所述荷电粒子束，从而在所述第3工序后的所述硅晶片的局部部分形成所述点缺陷。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第3工序后的所述硅晶片的整体部分或者所述第1面侧的部分的氧浓度是2×10¹⁶cm^-3以上并且5×10¹⁷cm^-3以下。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1工序前的所述硅晶片的氧浓度是1×10¹⁵cm^-3以上并且1×10¹⁸cm^-3以下。

8.一种半导体装置，具备：

具有包括氧和点缺陷的复合缺陷的硅晶片的半导体区域；

第1面构造，配设于所述半导体区域的第1面；以及

第2面构造，配设于所述半导体区域的与所述第1面相反侧的第2面，

所述半导体区域的整体部分或者所述第1面侧的部分的氧浓度是2×10¹⁶cm^-3以上并且5×10¹⁷cm^-3以下，所述半导体区域的从所述第1面至所述第2面的氧浓度连续地变化。