[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

说明书

暂时停留在第一区域(301)中的焊料(106)处于高曲率状态，因此在焊料(106)的顶点处与半导体元件(105)点接触。然后，一边将半导体元件(105)压向焊料(106)，一边使焊料(106)从第一区域(301)向第二区域(302)从中央部向周边部慢慢润湿扩展。此时，在排斥空气的同时，焊料(106)润湿扩展，因此能够抑制空隙的产生。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。

背景技术

半导体元件被缩小化，在半导体元件的焊料接合中，为了得到散热性和短路耐量，要求防止焊料内部产生空隙。

在专利文献1中记载了如下技术：在引线框的表面，与半导体元件相对地设置由框状的堤防部划定的凹状区域，通过堤防部阻挡所供给的熔融焊料，在搭载半导体元件的工序中，将被阻挡状态的熔融焊料润湿扩展到堤防部的外侧。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2015-109294号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述专利文献1所记载的技术中，不能充分地防止焊料内部的空隙的产生和焊料溢出。

用于解决课题的手段

本发明的半导体装置的制造方法包括：第一工序，在引线框的第一面形成第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域的外周并且焊料的润湿扩展性与所述第一区域相比相对较低；第二工序，在所述引线框的所述第一区域上配置所述焊料；以及第三工序，对配置在所述第一区域上的所述焊料按压半导体元件，使所述焊料润湿扩展到所述第二区域上。

本发明的半导体装置具备：半导体元件；引线框，该引线框具有第一面，该第一面形成有第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域的外周并且焊料的润湿扩展性与所述第一区域相比相对较低；以及焊料，该焊料在跨越所述引线框的所述第一区域和所述第二区域而润湿扩展的状态下，将半导体元件和所述引线框之间接合，所述焊料的所述引线框侧的接合区域的外周缘与所述第二区域的外周缘大致一致。

发明效果

根据本发明，能够防止空隙的产生和焊料的溢出。

附图说明

图1是半导体装置的分解立体图。

图2是半导体装置的主要部分的分解立体图。

图3是引线框的立体图。

图4是说明半导体装置的制造方法的第一工序的图。

图5的(A)、(B)是说明半导体装置的制造方法的第二工序的图。

图6的(A)、(B)是说明半导体装置的制造方法的第三工序的图。

图7的(A)、(B)、(C)是表示引线框的阴影线例1、例2、例3的图。

图8的(A)、(B)、(C)是表示引线框的阴影线例4、例5、例6的图。

图9的(A)、(B)、(C)是表示引线框的阴影线例7、例8、例9的图。

图10的(A)、(B)、(C)是表示引线框的阴影线例10、例11、例12的图。

图11的(A)、(B)、(C)是表示引线框的阴影线例13的焊料的润湿扩展的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。以下的记载和附图是用于说明本发明的示例，为了使说明明确，适当省略和简化。本发明也可以通过其他各种方式来实施。只要没有特别限定，各构成要素可以是单数也可以是复数。

在附图中所示的各构成要素的位置、大小、形状、范围等，为了容易理解发明，有时不表示实际的位置、大小、形状、范围等。因此，本发明不一定限定于附图所示的位置、大小、形状、范围等。

图1是本实施方式的半导体装置100的分解立体图。