[发明专利]具有双晶体管存储器单元及存取线路板的存储器装置

说明书

一些实施例包含设备及方法，其使用衬底、具有垂直于所述衬底的长度的支柱、第一导电板、第二导电板、位于所述第一导电板与所述第二导电板之间且与所述第一导电板及所述第二导电板电分开的存储器单元，及导电连接。所述第一导电板位于所述设备的第一层级中且通过位于所述第一层级中的第一电介质与所述支柱分开。所述第二导电板位于所述设备的第二层级中且通过位于所述第二层级中的第二电介质与所述支柱分开。所述存储器单元包含位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第三层级中且与所述支柱及所述导电连接接触的第一半导体材料，及位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第四层级中且与所述支柱接触的第二半导体材料。

优先权申请案

本申请案要求2019年8月28日提交的第62/892,995号美国临时申请案的优先权权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器装置广泛用于计算机及许多其它电子物品中以存储信息。通常将存储器装置分类成两个类型：易失性存储器装置及非易失性存储器装置。存储器装置通常具有用以存储信息的众多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果供应电力从存储器装置断开，则存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中，即使供应电力从存储器装置断开，存储于存储器单元中的信息仍保留。

本文中的描述涉及易失性存储器装置。大部分常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储于包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增大，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便增加给定装置区的装置存储密度的方法。然而，如果存储器单元大小待缩小到某尺寸，则物理限制及制造约束可能会对此类常规技术构成挑战。不同于一些常规存储器装置，本文中所描述的存储器装置包含可克服常规技术所面临的挑战的特征。

附图说明

图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈包含易失性存储器单元的存储器装置的形式的设备的框图。

图2展示根据本文中所描述的一些实施例的存储器装置的一部分的示意图，所述存储器装置包含二晶体管(2T)存储器单元的存储器阵列。

图3展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的读取操作期间使用的实例电压。

图4展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的写入操作期间使用的实例电压。

图5展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置，其包含在Y方向上的额外存储器单元。

图6到图12展示根据本文中所描述的一些实施例的包含存储器单元的多个叠组的存储器装置的结构的不同视图。

图13到图18展示根据本文中所描述的一些实施例的包含存储器单元的多个叠组及垂直共同导电连接的存储器装置的结构的不同视图。

具体实施方式

本文中所描述的存储器装置包含易失性存储器单元，其中所述存储器单元中的每一者可包含两个晶体管(2T)。两个晶体管中的一者具有电荷存储结构，所述电荷存储结构可形成存储器单元的存储器元件以存储信息。本文中所描述的存储器装置可具有允许存储器装置的大小相对小于类似的常规存储器装置的大小的结构(例如，4F2单元占据面积)。所描述存储器装置可包含单条所存取线(例如，字线)以控制存储器单元的两个晶体管。此可导致减少功率耗散且改善处理。所描述存储器装置的存储器单元中的每一者可包含交叉点增益单元结构(及交叉点操作)，使得可在存储器装置的操作(例如，读取或写入操作)期间使用单条存取线(例如，字线)及单条数据线(例如，位线)存取存储器单元。另外，所描述存储器装置可具有存储器单元的多个叠组，其中所述叠组可共同形成。这可降低存储器装置的成本(例如，每位的成本)。下文参看图1到图18论述所描述存储器装置及其变型的其它改善及益处。