[发明专利]具有双晶体管存储器单元及存取线路板的存储器装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

衬底：

支柱，其具有垂直于所述衬底的长度；

第一导电板，其位于所述设备的第一层级中，所述第一导电板通过位于所述第一层级中的第一电介质与所述支柱分开；

第二导电板，其位于所述设备的第二层级中，所述第二导电板通过位于所述第二层级中的第二电介质与所述支柱分开；

存储器单元，其位于所述第一导电板与所述第二导电板之间且与所述第一导电板及所述第二导电板电分开，所述存储器单元包含位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第三层级中且与所述支柱接触的第一半导体材料及位于所述第一层级与所述第二层级之间的所述设备的第四层级中且与所述支柱接触的第二半导体材料；以及

导电连接，其与所述第一半导体材料接触。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电连接包含位于所述第三层级中的导电板。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述导电板包含环绕所述第一半导体材料且与所述第一半导体材料接触的一部分。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电连接将耦合到所述设备的接地连接。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电连接包含具有垂直于衬底的长度的额外支柱，且所述额外支柱包含位于所述第一层级中且与所述第一半导体材料接触的一部分。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一半导体材料与所述第二半导体材料具有不同导电性类型。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一半导体材料包含多晶硅，且所述第二半导体材料包括半导电氧化物材料。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元进一步包含位于所述第二层级中且与所述第二半导体材料接触的电荷存储结构，所述第二半导体材料在所述支柱与所述电荷存储结构之间。

9.一种设备，其包括：

第一支柱，其具有垂直于衬底的长度；

第二支柱，其具有垂直于所述衬底的长度；

第一存储器单元，其包含位于所述设备的第一层级中的第一半导体材料，所述第一半导体材料与所述第一支柱接触；

第二存储器单元，其包含位于所述第一层级中的第一额外半导体材料，所述第一额外半导体材料与所述第二支柱接触；以及

第一导电板，其位于所述设备的所述第一层级中，所述导电板与所述第一半导体材料及所述第一额外半导体材料接触；

第二导电板，其位于所述设备的第二层级中，所述第二导电板通过位于所述第二层级中的第一电介质与所述第一支柱分开且通过位于所述第二层级中的第二电介质与所述第二支柱分开。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一导电板将耦合到接地连接，且所述第二导电板为所述设备的存取线的部分。

11.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括位于所述设备的第三层级中的第三导电板，所述第三导电板通过位于所述第三层级中的第一额外电介质与所述第一支柱分开且通过位于所述第三层级中的第二额外电介质与所述第二支柱分开，其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元在所述第二导电板与所述第三导电板之间。

12.根据权利要求9所述的设备，其中：

所述第一存储器单元包含第一电荷存储结构及位于所述设备的第三层级中的第一额外半导体材料，且所述第一额外半导体材料与所述第一支柱及所述第一电荷存储结构接触；

所述第二存储器单元包含第二电荷存储结构及位于所述设备的所述第三层级中的第二额外半导体材料，且所述第二额外半导体材料与所述第二支柱及所述第二电荷存储结构接触。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一额外半导体材料及所述第二额外半导体材料中的每一者包括半导电氧化物材料。