[发明专利]微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法

说明书

根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。

技术领域

本发明涉及微型发光二极管(以下也称为“微型LED”。)等微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法。

背景技术

近年来，对于以智能电话、液晶显示器、车载部件等为代表的电子设备，不仅需要高性能化，而且也同时要求节省空间化、节能化。根据这样的社会的要求，所搭载的电气电子部件也日益小型化·微细化，其组装工序也一年年地变得复杂，变得困难。

随着这样的微细化的元件的组装工序的复杂化，目前为止，进行了对每个工序更换适于各工序的粘着片，但具有作业性差、制造成本升高的问题。为了将其解决，在专利文献1中，提出了凹凸追随性、耐热性、耐化学品性全部优异、可在半导体晶片加工时的多个工序中使用的粘着片。

另外，在专利文献2中，提出了如下方法：通过使在蓝宝石基板生长的GaN外延晶片采用环氧系瞬间粘接剂与临时基板粘接，然后，采用激光剥离法使GaN层剥离，将与临时基板粘接的GaN外延晶片与导热·导电层接合，在高温下加热，从而临时基板脱落。如果使用该方法，能够得到从蓝宝石基板将GaN外延晶片剥离、将其转移至导热、导电优异的基板的器件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-59179号公报

专利文献2：日本特表2015-518265号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，专利文献1中的粘着片的压敏粘合剂层包含紫外线固化型压敏粘合剂，粘接和剥离需要紫外线照射，因此工序繁杂。另外，压敏粘合剂的固化条件和粘着强度依赖于光强度，因此其调整变得必要，根据其调整的不同，可能会发生所谓的压敏粘合剂残留和脱落导致的收率降低等问题。

另外，在专利文献2中，在粘接于临时基板的GaN外延晶片与热传导·导电层在高温下接合的过程中，使环氧系瞬间粘接剂碳化，临时基板脱落，因此如果目标的器件、材料不具有达到能够使环氧系瞬间粘接剂碳化的温度的耐热性，则不能使用。另外，由于高温状态而在晶片中发生翘曲、剥离时的粘接剂残留、其清洗变得必要等课题多。

本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法，其中，在微型LED等微小结构体的转移中，能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此不需要适于各工序的新的临时固定材料，并且不需要采用该临时固定材料的临时固定工序和其除去工序，因此能够在无工序数增加的情况下高精度、有效率地进行微小结构体的转移。

用于解决课题的手段

本发明人为了实现上述目的，进行了深入研究，结果发现：能够在没有增加工序数的情况下高精度、高效率地进行微型LED等微小结构体的转移的微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法，完成了本发明。

即，本发明提供：

1.微小结构体的转移方法，其至少包括：

(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；