[发明专利]微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法在审
申请号: | 202080060319.7 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN114365266A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 小川敬典;大堀敬司;上田修平;近藤和纪;小材利之;松本展明;北川太一;大竹滉平;川原实 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48;C09J11/06;C09J183/07 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微小 结构 转移 方法 安装 | ||
1.微小结构体的转移方法,其至少包括:
(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序;
(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板,从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序;
(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序;
(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序;
(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序。
2.根据权利要求1所述的微小结构体的转移方法,其中,所述供体基板的基板为合成石英玻璃基板。
3.根据权利要求2所述的微小结构体的转移方法,其中,所述合成石英玻璃基板为对于6.01mm×6.01mm的区域采用白色干涉计以像素数1240×1240测定得到的空间频率1mm-1以上的功率谱密度为1012nm4以下的合成石英玻璃基板。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的微小结构体的转移方法,其中,所述(i)中的贴合的工序为施加0.01~5kPa的载荷而进行的工序。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的微小结构体的转移方法,其中,所述(ii)的工序为如下工序:通过在将在所述供给基板的一面形成的多个微小结构体与供体基板上的有机硅系橡胶层贴合的状态下,从所述供给基板的形成有所述多个微小结构体的面的相反侧的面照射脉冲振荡产生的激光,从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部剥离,转移至所述供体基板,从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板。
6.根据权利要求5所述的微小结构体的转移方法,其中,所述脉冲振荡产生的激光为KrF准分子激光。
7.根据权利要求5或6所述的微小结构体的转移方法,其中,所述供给基板为蓝宝石基板。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的微小结构体的转移方法,其中,在所述(ii)的工序后进行的(iii)中的清洗的工序为采用酸进行清洗的工序。
9.根据权利要求8所述的微小结构体的转移方法,其中,所述酸为选自盐酸、硝酸、硫酸中的酸。
10.根据权利要求1~4中任一项所述的微小结构体的转移方法,其中,所述(ii)的工序为通过对于所述供给基板采用蚀刻将多个微小结构体的一部分或全部从所述供给基板分离、转移至所述供体基板的有机硅系橡胶层从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序。
11.根据权利要求10所述的微小结构体的转移方法,其中,所述蚀刻为湿法蚀刻。
12.根据权利要求10或11所述的微小结构体的转移方法,其中,所述供给基板为砷化镓基板。
13.微小结构体的安装方法,其至少包含:
(vi)使用在基板上具备包括紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着层的微小结构体转印用压模,从临时固定有采用根据权利要求5~9中任一项所述的微小结构体的转移方法转移的多个微小结构体的供体基板选择性地拾取任意的微小结构体的工序,
(vii)将采用所述微小结构体转印用压模拾取的微小结构体转移至电路基板上的所用的部位,将所述微小结构体与电路基板接合的工序,
(viii)从所述微小结构体转印用压模将所述拾取的微小结构体分离、安装于所述电路基板的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造