[发明专利]带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法及端子保护用胶带

权利要求书

1.一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：

将带端子的半导体装置的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；

在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及

拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。

2.一种带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其包括：

将带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的工序；

切割所述带端子的半导体装置集合体，将所述带端子的半导体装置集合体制成端子埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的带端子的半导体装置的工序；

在未埋设于所述端子保护用胶带的粘弹性层的所述带端子的半导体装置的露出面上形成电磁波屏蔽膜的工序；及

拉伸所述端子保护用胶带，从而将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的工序。

3.根据权利要求1或2所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

在将形成了电磁波屏蔽膜的所述带端子的半导体装置从所述端子保护用胶带上剥离的所述工序中的所述端子保护用胶带的拉伸量为1.0mm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

将直径为0.25mm的端子埋设于所述端子保护用胶带的所述粘弹性层时，从所述端子保护用胶带的厚度方向观察到的出现在埋设的所述端子的外侧的来自于气泡的近似圆形的投影的直径为0.30mm以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

在埋设所述带端子的半导体装置的端子的所述工序后且形成电磁波屏蔽膜的所述工序前的、所述端子保护用胶带对所述带端子的半导体装置的粘着力为6.5N/25mm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

所述粘弹性层的厚度d1相对于所述带端子的半导体装置或带端子的半导体装置集合体的端子的高度h0的比例满足1.2≤d1/h0≤5.0。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

所述粘弹性层具有填埋层及粘着剂层。

8.根据权利要求7所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

将带端子的半导体装置或带端子的半导体装置集合体的端子埋设于具有粘弹性层的端子保护用胶带的所述粘弹性层的所述工序中的、所述填埋层的弹性模量为0.05～20MPa。

9.根据权利要求7或8所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，依次具有所述粘着剂层、所述填埋层及基材。

10.根据权利要求9所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

所述基材的杨氏模量为100～2000MPa。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

所述填埋层为使用能量射线固化性的构成材料而形成的填埋层。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法，其中，

所述粘着剂层为使用能量射线固化性的粘着剂而形成的粘着剂层。

13.一种端子保护用胶带，其用于权利要求4～12中任一项所述的带电磁波屏蔽膜的半导体装置的制造方法。