[发明专利]选择性碳沉积在审
| 申请号： | 202080059201.2 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN114270476A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 阿维尼什·古普塔;阿德里安·拉沃伊;巴特·J·范施拉芬迪克;萨曼莎·西亚姆华·坦 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/26;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择性 沉积 | ||
1.一种在处理室中将碳沉积在衬底上的方法，该方法包括：
将所述衬底布置在所述处理室中的衬底支撑件上，其中，所述衬底包括形成在所述衬底的至少一个下伏层上的具有第一厚度的碳膜；
实施第一蚀刻步骤以蚀刻所述衬底，从而在所述衬底上形成特征，其中，实施所述第一蚀刻步骤去除部分所述碳膜并且减小所述碳膜的所述第一厚度；
选择性地将碳沉积到所述碳膜的剩余部分上；以及
实施至少一个第二蚀刻步骤以蚀刻所述衬底，从而完成在所述衬底上形成所述特征。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个下伏层包含硅、二氧化硅和氮化硅中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括形成在所述至少一个下伏层上的交替氧化物-氮化物(ONON)层，并且所述碳膜形成在所述ONON层上。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述特征包括在所述ONON层中形成ONON柱。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碳膜是无定形硬掩模(AHM)膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一厚度小于或等于1μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地沉积所述碳包括：使用原子层沉积(ALD)工艺来沉积所述碳。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，实施所述ALD工艺包括在第一时段的配料步骤中将至少一种含碳前体气体供应到所述处理室中，在第二时段的净化步骤中净化所述处理室，以及在第三时段的等离子体步骤中在所述处理室中产生等离子体。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，实施所述ALD工艺包括重复交替所述配料步骤、所述净化步骤和所述等离子体步骤。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，产生所述等离子体包括：在不供应所述至少一种含碳前体气体的情况下，在将等离子体处理气体供应到所述处理室中的同时产生所述等离子体。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底上沉积碳种子层并且将所述碳膜沉积到所述碳种子层上。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述碳种子层包括氟化碳(CFx)，其中x是整数。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积所述碳种子层包括：使用CVD或PECVD工艺来沉积所述碳种子层。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积所述碳种子层包括：将含碳前体气体供应到所述处理室中。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述含碳前体气体包括四溴化碳(CBr4)、三溴甲烷(CHBr3)和三溴甲烷(CH2Br2)中的至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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