[发明专利]分离装置和分离方法在审
申请号: | 202080048704.X | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN114072899A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 中野征二;山胁阳平;川口义广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分离 装置 方法 | ||
一种分离装置,将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体,所述分离装置具有:第一保持部,其保持所述第一分离体;第二保持部,其保持所述第二分离体;移动部,其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动;以及转动部,其至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动,以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。
技术领域
本公开涉及一种分离装置和分离方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种在第二晶圆上层叠有第一晶圆的层叠晶圆的加工方法。在该加工方法中,一边将激光束的聚光点定位在第一晶圆的内部并向该聚光点照射该激光束,一边使该第一晶圆相对于该聚光点沿水平方向相对地移动,来在该第一晶圆的内部形成改性面,之后以该改性面为边界来将该第一晶圆的一部分从该层叠晶圆分离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-32690号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术将处理对象体适当地分离为第一分离体和第二分离体。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体的分离装置,所述分离装置具有:第一保持部,其保持所述第一分离体;第二保持部,其保持所述第二分离体;移动部,其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动;以及转动部,其至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动,以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。
发明的效果
根据本公开,能够将处理对象体适当地分离为第一分离体和第二分离体。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的侧视图。
图3是表示重合晶圆的结构的概要的侧视图。
图4是表示重合晶圆的一部分的结构的概要的侧视图。
图5是表示分离装置的结构的概要的俯视图。
图6是表示第一实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的俯视图。
图7是表示第一实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的侧视图。
图8是表示第一实施方式所涉及的分离处理部和搬送部的结构的概要的侧视图。
图9是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
图10是晶圆处理的主要工序的说明图。
图11是表示将处理晶圆的器件层的外周部进行改性的情形的说明图。
图12是表示在处理晶圆形成周缘改性层的情形的说明图。
图13是表示在处理晶圆形成了周缘改性层的情形的说明图。
图14是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。
图15是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。
图16是第一实施方式所涉及的分离处理的主要工序的说明图。
图17是表示第二保持部保持处理晶圆的情形的说明图。
图18是第一实施方式所涉及的第二分离晶圆的搬出处理的主要工序的说明图。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造