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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法-CN202280017660.3在审
发明人： 川口义广;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B23K26/57 文献下载
摘要：一种基板处理装置，其向基板照射激光而处理该基板，其中，该基板处理装置具有：基板保持部，其保持所述基板；激光照射透镜，其使激光向保持于所述基板保持部的所述基板照射；激光振荡器，其使激光朝向比所述基板保持部的基板保持面靠上方的位置出射；镜，其在所述基板保持部的上方将从所述激光振荡器出射的激光的方向变更成水平方向；以及光学系统，其调整从所述镜入射的激光的输出，并且将该激光向所述激光照射透镜引导。
处理装置系统以及方法

[发明专利]周缘去除装置和周缘去除方法-CN202310289536.9在审
发明人：森弘明;田之上隼斗;川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种周缘去除装置和周缘去除方法。对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板的表面与第二基板的表面接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘改性部，其针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之间的边界照射周缘用激光来形成周缘改性层；以及内部面改性部，在通过所述周缘改性部形成了所述周缘改性层后，所述内部面改性部针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着面方向照射内部面用激光来形成内部面改性层。
周缘去除装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201980082692.X有效
发明人：森弘明;田之上隼斗;川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板的表面与第二基板的表面接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘改性部，其针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之间的边界照射周缘用激光来形成周缘改性层；以及内部面改性部，在通过所述周缘改性部形成了所述周缘改性层后，所述内部面改性部针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着面方向照射内部面用激光来形成内部面改性层。
处理装置方法

[发明专利]分离装置和分离方法-CN202080048587.7在审
发明人：山胁阳平;中野征二;川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及分离面清洗部，其至少对所述第一分离体的分离面或所述第二分离体的分离面进行清洗。
分离装置方法

[发明专利]分离装置和分离方法-CN202080048704.X在审
发明人：中野征二;山胁阳平;川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及转动部，其至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动，以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。
分离装置方法

[发明专利]基板加工装置和基板加工方法-CN202080039357.4在审
发明人：山胁阳平;中野征二;川口义广;児玉宗久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板加工装置，其具备：卡盘，其将基板保持为水平；加工单元，其将加工工具压靠于由所述卡盘保持着的状态的所述基板的外周，加工所述基板；以及下杯，其在所述基板的外周整周的范围内回收从所述基板落下的加工屑，在所述下杯形成有排出所述加工屑的排出口。
加工装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201980075509.3在审
发明人： 川口义广;中野征二;児玉宗久;森弘明;田之上隼斗;山胁阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘去除部，在所述第一基板中的沿着作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部之间的边界形成周缘改性层，该周缘去除部针对被所述基板保持部保持的所述重合基板以所述周缘改性层为基点来去除所述周缘部；以及回收部，其具备回收通过所述周缘去除部被去除的所述周缘部的回收机构。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201980068281.5在审
发明人：森弘明;川口义广;久野和哉;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理装置具有：保持部，其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板；第一检测部，其检测所述第一基板的外侧端部；第二检测部，其检测所述第一基板与第二基板进行了接合的接合区域同该接合区域的外侧的未接合区域之间的边界；以及周缘去除部，其针对被所述保持部保持的所述重合基板去除所述第一基板中的作为去除对象的周缘部。
处理装置方法

[实用新型]基板处理装置-CN202020952391.8有效
发明人： 川口义广;山胁阳平;中野征二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够形成多组以隔开恰当的间隔的方式相对的旋转流路与固定流路的组，能够针对这些组中的每个组控制气体的流动。基板处理装置具备：主轴，其使基板旋转；和气体轴承，其隔着气体层将所述主轴支承成旋转自由，在所述主轴的内部形成有多个供气体流动的旋转流路，在所述气体轴承的内部形成有多个供气体流动的固定流路，多个所述固定流路隔着所述气体层与不同的所述旋转流路相对。
处理装置

[发明专利]基板处理系统和基板处理方法-CN201980026998.3在审
发明人： 川口义广;森弘明;久野和哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种基板处理系统，具备：预对准装置，其具有预对准台和检测器，所述预对准台保持被处理基板，所述检测器检测被保持于所述预对准台的所述被处理基板的中心位置和结晶方位；以及激光加工装置，其具有激光加工台和激光加工头，所述激光加工台保持所述被处理基板，所述激光加工头将用于加工所述被处理基板的激光光线聚光并照射至被保持于所述激光加工台的所述被处理基板，其中，所述预对准装置配置于所述激光加工装置的上部。
处理系统方法

[发明专利]激光加工装置和激光加工方法-CN201980019007.9在审
发明人：森弘明;川口义广;田之上隼斗;久野和哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：一种激光加工装置，在保持于基板保持部的基板的主表面形成对所述基板进行加工的激光光线的照射点、并使所述照射点在所述基板的预定分割线上移动来形成加工痕迹，该激光加工装置具有加工处理部，该加工处理部改变所述预定分割线来重复进行为了使所述照射点在所述预定分割线上移动而使所述基板保持部沿第一轴方向移动的动作，并在该重复进行该动作的中途通过使所述基板保持部绕第三轴旋转来使通过所述基板保持部保持的所述基板的朝向改变180°。
激光加工装置方法

[发明专利]激光加工装置、激光加工系统以及激光加工方法-CN201980018483.9在审
发明人：森弘明;川口义广;田之上隼斗;久野和哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种激光加工装置，具备：高度测定部，其测定加工用激光光线的在基板的上表面上的照射点的铅垂方向位置；以及控制部，其一边使所述照射点在所述基板的上表面中的多条预定分割线上移动，一边基于所述照射点的铅垂方向位置来控制聚光部的铅垂方向位置，其中，所述高度测定部具有同轴激光位移计和异轴激光位移计，所述控制部在通过所述加工用激光光线对一个所述基板进行加工的期间，针对每条预定分割线仅使用所述同轴激光位移计和所述异轴激光位移计中的任一方来控制所述聚光部的铅垂方向位置，并且将用于控制所述聚光部的铅垂方向位置的激光位移计在所述同轴激光位移计与所述异轴激光位移计之间切换。
激光加工装置系统以及方法

[发明专利]涂布处理装置-CN201210393846.7在审
发明人： 川口义广;坂井光广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明是一种涂布处理装置。该涂布处理装置可缩短处理动作的节拍时间，且防止因喷嘴的维护处理而导致的被处理基板的污染。本发明的涂布处理装置包括：喷嘴(31)，具有沿被处理基板(G)的宽度方向延伸的喷出口，在所述处理平台上的所述基板的上方沿基板搬送方向移动，并且从所述喷出口将处理液喷出至所述基板上；喷嘴移动机构(32)，可使所述喷嘴升降移动，且可使所述喷嘴向基板搬送方向上游侧或下游侧移动；喷嘴维护机构(35)，设置在基板搬送路径(4)的下方，且调整所述喷嘴的喷出口的状态；及空出区间形成机构(21)、(22)、(23A)、(23B)、(30)，可在所述基板搬送路径上的所述处理平台的上游侧或下游侧，自由出入地形成特定长度的空出区间(d)。
处理装置

[发明专利]热处理装置和热处理方法-CN201110185002.9无效
发明人： 川口义广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种热处理装置和热处理方法。其抑制基板面内的热处理温度的偏差，使基板面内的配线图案的线宽均匀。包括：基板输送机构(20)；第一腔室(8A)，覆盖基板输送路径(2)的规定区间，并形成对在上述基板输送路径输送的基板(G)进行热处理的热处理空间；第一处理机构(17、18)，能够将上述第一腔室内加热；第二机构(41、42)，对在上述基板输送路径输送的上述基板吹送气体，能够进行局部冷却；基板检测机构(45)，设置在上述第一腔室的前段，对在上述基板输送路径输送的上述基板进行检测；和控制机构(40)，被供给有上述基板检测机构的检测信号，并切换通过上述第二机构进行的冷却动作的开始/停止。
热处理装置方法

[发明专利]热处理装置、热处理方法和存储介质-CN201110153706.8无效
发明人： 川口义广;佐竹政纪;八寻俊一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供热处理装置、热处理方法和存储介质。包括：基板搬送机构(20)；形成对在基板搬送路搬送的被处理基板(G)的热处理空间的第一腔室(8)；能够变更加热或冷却温度的设定温度，能够将上述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构(17、18)；设置于上述第一腔室的前段，对在上述基板搬送路搬送的上述被处理基板进行检测的基板检测机构(45)；和被供给上述基板检测机构的检测信号，并能够进行上述第一加热·冷却机构的控制的控制机构(40)，上述控制机构，在向着上述第一腔室搬送的多个被处理基板中最前头的被处理基板被上述基板检测机构检测到时，将上述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度。
热处理装置方法存储介质

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