[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括：

半导体发光序列，包括发光层；

布拉格反射层，位于半导体发光序列的一侧，

所述布拉格反射层为第一折射率的第一介质材料层和第二折射率的第二介质材料层重复堆叠分布形成，其中第一折射率低于第二折射率，其中所述第二介质材料层的光学厚度小于第一介质材料层的光学厚度。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：其中所述第二介质材料层的光学厚度小于等于λ/4，其中λ为550nm。

3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：其中至少两层第二介质材料层的光学厚度小于λ/4，所有的第二介质材料层大于等于0.04λ。

4.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：其中所述的第一介质材料层的光学厚度大于等于λ/4。

5.根据权利要求2的一种半导体发光元件，其特征在于：其中至少两层第一介质材料层的光学厚度为大于λ/4，所有的第一介质材料小于等于3λ。

6.根据权利要求2的一种半导体发光元件，其特征在于：其中至少一半层数的第一介质材料的厚度为大于λ/4，至少一半的层数的第二介质材料层的光学厚度为小于λ/4。

7.根据权利要求2的一种半导体发光元件，其特征在于：其中所述的第一介质材料层的光学厚度都高于λ/4，第二介质材料层的光学厚度都低于λ/4。

8.根据权利要求2的一种半导体发光元件，其特征在于：布拉格反射层包括多层第一介质材料层和多层第二介质材料层，其中多层第一介质材料层之间的光学厚度总体标准偏差值大于多层第二介质材料层之间的光学厚度或者总体标准偏差值。

9.根据权利要求2的一种半导体发光元件，其特征在于：半导体发光序列提供峰值波长介于380~480nm之间的发光辐射，所述的布拉格反射层包括第一区域和较第一区域更远离半导体发光序列的第二区域，其中第一区域的第一介质材料层的平均光学厚度高于第二区域的的第一介质材料层的平均光学厚度。

10.根据权利要求9的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第一区域的第一介质材料层的光学厚度介于0.4λ~3λ范围之间。

11.根据权利要求9的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第二区域的第一介质材料层的光学厚度介于λ/4与λ之间。

12.根据权利要求2的一种半导体发光元件，其特征在于：半导体发光序列提供峰值波长介于490~550nm之间，所述的布拉格反射层的第二介质材料层的光学厚度主要介于0.04λ~λ/4之间。

13.根据权利要求1的一种半导体发光元件，其特征在于：其中所述第一介质材料层为氧化硅，第二介质材料层为氧化钛。

14.根据权利要求1的一种半导体发光元件，其特征在于：其中半导体发光序列的辐射波长为380~550nm。

15.根据权利要求1的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光序列与布拉格反射层之间具有一透明衬底。

16.根据权利要求15的一种半导体发光元件，其特征在于：布拉格反射层具有临近透明衬底的第一层，第一层的光学厚度高于布拉格反射层的其它层，并且第一层为第一介质材料层。

17.根据权利要求1的一种半导体发光元件，其特征在于：所述布拉格反射层位于半导体发光序列一侧，透明衬底位于半导体发光序列的另外一侧。