[实用新型]一种同步整流碳化硅功率模块

权利要求书

1.一种同步整流碳化硅功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：底层直接覆铜陶瓷DBC基板、贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片、驱动电阻、功率端子、驱动端子以及封装外壳，碳化硅功率芯片和驱动电阻构成两个同步整流半桥电路，包括第一同步整流半桥电路、第二同步整流半桥电路；碳化硅功率芯片之间通过金属键合线连接；底层直接覆铜陶瓷DBC基板焊接在底板上。

2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一同步整流半桥电路和所述第二同步整流半桥电路使用碳化硅MOSFET功率芯片。

3.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第一同步整流半桥电路和第二同步整流半桥电路使用多个功率芯片进行并联。

4.如权利要求1所述的功率模块，其特征在，所述DBC基板包括：

导热层，用来将所述碳化硅功率芯片的热量导出所述功率模块；

绝缘层和电路层，绝缘层位于导热层和电路层之间，电路层通过焊接方式与所述碳化硅功率芯片的相应端口连接。

5.如权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述电路层包括第一芯片区、第二芯片区、第三芯片区、第四芯片区、第一负极连接区、第二负极连接区、第一控制区、第二控制区、第三控制区、第四控制区；所述第一芯片区、第二芯片区、第一负极连接区依次排布组成矩形区域，所述第一芯片区呈“π”形状，所述第二芯片区呈“山”字形状，两者上下排布交错放置在一起，所述第一负极连接区由两块多边形区域构成，填充在第二芯片区中间凹槽处；所述第一控制区位于第一芯片区上方，所述第二控制区位于第二芯片区下方。

6.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述第三芯片区呈“π”形状，所述第四芯片区呈“山”字形状，两者上下排布交错放置在一起，所述第二负极连接区由两块多边形区域构成，填充在第四芯片区中间凹槽处；所述第三控制区位于第三芯片区上方，所述第四控制区位于第四芯片区下方。

7.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，第一芯片区和第二芯片区上下相邻紧密放置，第一负极连接区布置在第一芯片区和第二芯片区中间。

8.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，第一控制区和第二控制区平行放置在第一芯片区和第二芯片区两侧，且与并联的碳化硅功率芯片平行放置。

9.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，并联的碳化硅功率芯片放置方向与其键合线连接方向垂直。

10.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一同步整流半桥电路和所述第二同步整流半桥电路关于功率模块中线呈对称分布。