[实用新型]一种新型面结型场效应管有效
申请号: | 202023165133.4 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN213716882U | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 瞿勇铣;葛柱;龙立俊;吴金铭;吴小红 | 申请(专利权)人: | 东莞平晶微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/32 | 分类号: | H01L23/32;H01L29/80;H01L29/40 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 何耀煌 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 面结型 场效应 | ||
本实用新型公开了一种新型面结型场效应管,包括晶体管本体、安装板、底片和固定组件,所述晶体管本体底部安装有安装板,所述晶体管本体内壁上方安装有第一隔离结构,所述第一隔离结构一侧安装有源极,所述源极一侧安装有第二隔离结构,所述第二隔离结构一侧安装有栅极,所述栅极与第二隔离结构底部安装有阱二,所述阱二一侧安装有第三隔离结构,所述第三隔离结构一侧安装有阱。本实用新型通过在固定组件的使用,通过捏住按片,使按片下的壳盖端部抵碰到固定板侧面,弹簧压缩,固定组件缩至滑条内,通过将滑条安装至滑槽内,在滑条与滑槽啮合后,固定组件与卡槽内壁贴合,使装置固定,提高了装置的便捷性。
技术领域
本实用新型涉及场效应管技术领域,具体为一种新型面结型场效应管。
背景技术
场效应晶体管简称场效应管;主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管;由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管;它属于电压控制型半导体器件。
场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的结型场效应管器件一直到1952年才被制造出来。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。
现有面结型场效应管存在的缺陷:
1、不便于安装,在安装结型场效应管过程中,由于安装结构和极片之间一体设置,特殊安装环境(结构扭曲、狭窄等)中不能根据实际情况进行安装。
2、不具有角度转换功能,在使用或安装结型场效应管时,会因环境的影响导致结型场效应管不便于使用,或使用麻烦。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种新型面结型场效应管,以解决上述背景技术中提出的不便于安装的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型面结型场效应管,包括晶体管本体、安装板、底片和固定组件,所述晶体管本体端部按安装有极片,所述晶体管本体底部安装有安装板,所述安装板底部安装有底片,所述晶体管本体背面安装有两侧皆安装与固定组件,所述晶体管本体内底部设有衬底,所述衬底底部设有阱一,所述晶体管本体内壁上方安装有第一隔离结构,所述第一隔离结构一侧安装有源极,所述源极一侧安装有第二隔离结构,所述第二隔离结构一侧安装有栅极,所述栅极与第二隔离结构底部安装有阱二,所述阱二顶部一侧安装有第一场极板,所述阱二一侧安装有第三隔离结构,所述第一场极板延伸至第三隔离结构顶部一侧,所述第三隔离结构一侧安装有阱三,所述阱三内顶部安装有漏极,所述阱三顶部一侧安装有第二场极板,所述第二场极板延伸至第三隔离结构顶部一侧,所述阱三一侧上方安装有第四隔离结构,所述阱三顶部一侧安装有第三场极板,所述第三场极板延伸至第四隔离结构顶部一侧,所述第四隔离结构端部安装在晶体管本体内壁上。
优选的,所述晶体管本体背面两侧皆安装有滑条。
优选的,所述安装板包括顶板、滑槽、卡槽、连接柱、旋转盘、穿孔、盘槽和底板,所述顶板顶部两侧皆内嵌有滑槽,所述滑槽两端皆设有卡槽,所述底板顶部内嵌有盘槽,所述盘槽内设有穿孔,所述盘槽内转动安装有旋转盘,所述旋转盘上安装有连接柱,所述连接柱贯穿穿孔。
优选的,所述底片上设有安装孔。
优选的,所述固定组件由固定底座、按片、弹簧、固定板、与壳盖组成,所述固定板安装在滑条内,所述固定板两侧皆安装有弹簧,所述弹簧端部安装有固定底座,所述固定底座一侧安装有按片,所述按片底部的固定底座外侧安装有壳盖。
与现有技术相比,本实用新型的设计的创新点效果是:该新型面结型场效应管合理,具有以下优点:
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