[实用新型]加热腔结构和硅片处理设备

说明书

本实用新型提供了一种加热腔结构和硅片处理设备。其中，加热腔结构包括：加热腔体，用于提供真空环境，加热腔体的侧壁上设有通孔；隔离套管，由通孔伸入加热腔体内，隔离套管的至少一端位于加热腔体外；加热器，加热器的发热部分设于隔离套管内，加热器的引线端由隔离套管位于加热腔体外的一端伸出；连接组件，用于固定隔离套管和加热器；其中，隔离套管与连接组件使加热腔体的内部与加热器以及外部大气隔离。本实用新型的技术方案，通过隔离套管与连接组件的配合实现了内部真空环境与外部大气环境的隔离，使得加热器的引线可在大气环境中接线，有效缓解了放电现象，可提高使用电压，有利于降低加热器的接线负担。

技术领域

本申请涉及硅片加热设备技术领域，具体而言，涉及一种加热腔结构和一种硅片处理设备。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是太阳能电池生产中常用的镀膜方法之一，通常采用相应的PECVD设备对硅片进行镀膜。现有的PECVD设备的加热腔多采用红外加热器的方法，将红外加热器的引线设置于真空端，由于在真空环境中高电压体对低电压体放电现象尤为严重，为缓解以上问题，一般使用电压不超过110V，导致在所需求的功率相同时，红外加热器在真空中接线所承受的电流远大于在大气中接线所承受的电流，导致接线负担上升，需要较粗的线缆以及较大的空开设备，加热腔整体结构过于复杂，成本也随之上升。

实用新型内容

根据本实用新型的实施例，旨在至少改善现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，根据本实用新型的实施例的一个目的在于提供一种加热腔结构。

根据本实用新型的实施例的另一个目的在于提供一种硅片处理设备。

为了实现上述目的，根据本实用新型的第一方面的一个实施例提供了一种加热腔结构，包括：加热腔体，用于提供真空环境，加热腔体的侧壁上设有通孔；隔离套管，由通孔伸入加热腔体内，隔离套管的至少一端位于加热腔体外；加热器，加热器的发热部分设于隔离套管内，加热器的引线端由隔离套管位于加热腔体外的一端伸出；连接组件，用于固定隔离套管和加热器；其中，隔离套管与连接组件使加热腔体的内部与加热器以及外部大气隔离。

根据本实用新型第一方面的实施例，加热腔结构包括加热腔体、隔离套管、加热器和连接组件。加热腔体作为加热腔结构的主体，用于为硅片加热操作提供真空环境；加热腔体的侧壁上设有通孔，用于设置隔离套管。隔离套管由侧壁上的通孔伸入加热腔体内，且隔离套管的至少一端位于加热腔体外，以与外部大气连通；加热器的发热部分伸入隔离套管内，加热器的引线端由隔离套管位于加热腔体外的一端伸出，以便于接线。通过设置连接组件，以对隔离套管和加热器进行固定，并通过连接组件和隔离套管使加热腔体的内部与外部大气隔离，同时对加热器形成隔离。在硅片随硅片载板进入真空环境的加热腔体时，加热器通电发热，以对硅片进行加热。其中，在加热器设于加热腔体靠近底部的位置时，可形成下置加热方式，且有利于合理利用空间。此外，加热器可以是杆状或管状结构，以便于在隔离套管中装配。

本方案中的加热腔结构，通过设置隔离套管以及连接组件，可加热器的引线端置于大气环境中，并实现加热腔体内部真空环境与外部大气环境之间的隔离，有效缓解了高电压体对低电压体的放电现象，可提高使用电压、降低线缆所承受的电流，以降低加热器的接线负担，有利于降低接线操作的难度和成本。

另外，根据本实用新型的实施例中提供的上述技术方案中的加热腔结构还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，连接组件包括：设于隔离套管上，法兰盘的内侧壁上设有密封结构，以对通孔进行密封；第一支架，设于隔离套管位于加热腔体外的一端，第一支架分别与隔离套管和加热器连接，以对隔离套管和加热器进行定位，并使加热器与隔离套管之间保持非接触状态。