[实用新型]紫外发光芯片及包含其的紫外光杀菌消毒装置有效
| 申请号： | 202021920550.2 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN213483765U | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 贺龙飞;吴华龙;张康;何晨光;刘云洲;赵维;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;A61L2/10;A61L9/20 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;王鹏 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 发光 芯片 包含 紫外光 杀菌 消毒 装置 | ||
1.一种紫外发光芯片，其特征在于，从下到上依次包括：衬底、缓冲层、电子传输层、紫外光有源区、电子阻挡层、空穴传输层和p型层；
其中，所述紫外光有源区包括在正向电流注入下能够发射深紫外光的第一紫外量子阱区和在正向电流注入下能够发射近紫外光的第二紫外量子阱区。
2.根据权利要求1所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第一紫外量子阱区包括深紫外量子阱层和垒层，所述深紫外量子阱层和所述垒层交替生长。
3.根据权利要求2所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第一紫外量子阱区的深紫外量子阱层的材料为AlxGa1-xN或AlxInyGa1-x-yN，所述垒层的材料为AlZGa1-zN；其中，0＜x＜z＜1，0＜y＜1。
4.根据权利要求3所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第一紫外量子阱区的深紫外量子阱层的数量不少于三个。
5.根据权利要求1所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第二紫外量子阱区包括近紫外量子阱层和垒层，所述近紫外量子阱层和所述垒层交替生长。
6.根据权利要求5所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第二紫外量子阱区的近紫外量子阱层的材料为AlxGa1-xN、GaN、InyGa1-yN或者AlxlnyGa1-x-yN中的任一种，所述垒层的材料为AlZGa1-zN；其中，0＜x＜z＜1，0＜y＜1。
7.根据权利要求5所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第二紫外量子阱区的近紫外量子阱层的数量为至少一个。
8.根据权利要求2至7任一项所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第一紫外量子阱区包括第一子层和第二子层，所述第二紫外量子阱区形成在所述第一子层和第二子层之间。
9.根据权利要求2至7任一项所述的紫外发光芯片，其特征在于，所述第二紫外量子阱区和所述第一紫外量子阱区沿所述芯片的生长方向依次生长形成。
10.一种紫外光杀菌消毒装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的紫外发光芯片。
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