[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件

说明书

本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及单晶硅衬底的侧面被第一结构膜的第一本征非晶层包裹，如此可以有效提高单晶硅衬底表面的钝化效果；此外，基于异质结太阳能电池的结构，在具体进行第一结构膜与第二结构膜中四层非晶硅层的制作时，通过选用设定结构的载板可以避免对单晶硅衬底的翻面动作，能够避免现有技术中因翻面动作引入污染而造成电池电性能下降的问题，还可缩短异质结太阳能电池的生产周期。

技术领域

本实用新型涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及光伏组件。

背景技术

异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。

在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两表面第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇、第二掺杂非晶层32＇共四层非晶硅层的制作；继而PVD工艺进行第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇的制作；最后通过丝网印刷工艺进行第一集电极51＇与第二集电极52＇的制作。

其中，四层非晶硅层的具体制作需要采用图2所示结构的载板600＇，载板 600＇上具有与单晶硅衬底10＇尺寸相匹配的凹槽。具体四层非晶硅层制作时，将单晶硅衬底10＇放置于载板600＇的凹槽内，通过PECVD先在单晶硅衬底 10＇的一表面依次沉积形成第一本征非晶层21＇与第一掺杂非晶层31＇；接着通过机械手等对单晶硅衬底10＇进行翻面，再通过PECVD在单晶硅衬底10＇的另一表面依次沉积形成第二本征非晶层22＇与第二掺杂非晶层32＇，进而完成四层非晶硅层的制备。

然现有技术所涉及的异质结太阳能电池及其制作方法存在以下问题：单晶硅衬底10＇边缘区域钝化不充分；四层非晶硅层制作过程中需要对单晶硅衬底 10＇进行翻面操作，会引入污染造成电池电性能下降，而且还会延长电池生产周期；在进行第一掺杂非晶层31＇制作时，PECVD腔体内的自由基团漂移易造成单晶硅衬底10＇未沉积一侧表面边缘被掺杂原子污染，降低单晶硅衬底10＇与第二本征非晶层22＇界面的钝化性能。

有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述实用新型目的，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其具体设计方式如下。

一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第二主面包括中间区域及围设于所述中间区域周边的边缘区域；

第一结构膜，覆盖所述单晶硅衬底的第一主面与侧面，由所述单晶硅衬底指向所述第一结构膜的方向上，所述第一结构膜包括依次层叠设置的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层及第一透明导电膜层；

第一集电极，位于所述第一结构膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；

第二结构膜，位于所述单晶硅衬底第二主面的中间区域，由所述单晶硅衬底指向所述第二结构膜的方向上，所述第二结构膜包括依次层叠设置的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层及第二透明导电膜层；

第二集电极，位于所述第二结构膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面。

进一步，所述第一结构膜延伸至所述单晶硅衬底的第二主面侧并遮挡部分所述边缘区域。