[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第二主面包括中间区域及围设于所述中间区域周边的边缘区域；

第一结构膜，覆盖所述单晶硅衬底的第一主面与侧面，由所述单晶硅衬底指向所述第一结构膜的方向上，所述第一结构膜包括依次层叠设置的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层及第一透明导电膜层；

第一集电极，位于所述第一结构膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；

第二结构膜，位于所述单晶硅衬底第二主面的中间区域，由所述单晶硅衬底指向所述第二结构膜的方向上，所述第二结构膜包括依次层叠设置的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层及第二透明导电膜层；

第二集电极，位于所述第二结构膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一结构膜延伸至所述单晶硅衬底的第二主面侧并遮挡部分所述边缘区域。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二结构膜中，所述第二掺杂非晶层与所述第二透明导电膜层的边缘均连接至所述单晶硅衬底的第二主面。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述边缘区域的宽度尺寸为0.1-1.0mm。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述边缘区域的宽度尺寸为0.2-0.8mm。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅衬底的第一主面为受光面，所述第二主面为背光面。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅衬底为n型单晶硅，所述第一掺杂非晶层为n型掺杂非晶硅，所述第二掺杂非晶层为p型掺杂非晶硅。

8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第一掺杂非晶层位于所述第一主面的厚度之和小于或等于所述第二本征非晶层与所述第二掺杂非晶层的厚度之和。

9.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层位于所述第一主面的厚度小于或等于所述第二本征非晶层的厚度。

10.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层分别包括至少两层层叠设置的本征膜，每一所述本征膜由本征非晶硅膜、本征非晶氧化硅膜、本征非晶碳化硅膜中的一种构成。

11.根据权利要求10所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层和/或所述第二本征非晶层中离所述单晶硅衬底最远的一层本征膜为本征非晶氧化硅膜。

12.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的厚度小于或等于所述第二透明导电膜层的厚度。

13.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述背光面指向所述受光面的方向上，所述第一掺杂非晶层依次包括第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜、掺杂非晶碳化硅膜或掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜。

14.根据权利要求13所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层还包括位于所述掺杂非晶氧化硅膜、所述掺杂非晶碳化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜表面的第二掺杂非晶硅膜。