[实用新型]晶片导通片组件及集成电路结构有效

专利信息
申请号: 202021734956.1 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN212434610U 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 陈秋讚;林孟辉 申请(专利权)人: 富鼎先进电子股份有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李旭;曹正建
地址: 中国台湾新竹县竹北市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 导通片 组件 集成电路 结构
【说明书】:

一种晶片导通片组件,包括第一导通片以及第二导通片,第一导通片包含第一电极连接部,第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域,第一突出区域用于接触第一电极,第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧,第一凹陷区域由第一侧延伸至第二侧;第二导通片与第一导通片电性隔绝,第二导通片包含第二电极连接部,第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域,第二电极连接部具有相对的第一侧边以及第二侧边,第二凹陷区域由第一侧边延伸至第二侧边,第二突出区域用于接触第二电极。本实用新型大幅降低了传输阻抗,且简化了晶片的封装制程。

技术领域

本实用新型涉及一种晶片导通片组件及集成电路结构,特别是一种具有两个导通片的晶片导通片组件及集成电路结构。

背景技术

晶片的封装结构对于其效能来说至关重要。一般来说,晶片自晶圆切割下来之后需要对其进行封装制程,以保护晶片免于各种物理损坏或化学腐蚀。同时更设置对应的电性接脚,以让使用者可以便利地藉由封装结构来使用晶片或对其进行测试。

目前常见的作法系将晶片设置于基座上后,再以打线的方式布线于晶片与基座上,让导线连接于晶片的电极与基座的电性接点之间。但是由于导线的线宽有其限制而使得以导线形成的传输结构的阻抗较大之外,若界接结构没有特别设计的话,也有可能因为电性连接不够确实而造成阻抗过大。当阻抗过大时,将无法降低传输损耗。此外打线的方式也造成封装的不便。

有鉴于此,目前的确需要一种改良的晶片封装结构,以便改善上述的缺点。

实用新型内容

本实用新型在于提供一种晶片导通片组件及集成电路结构,以取代以往用打线方式连接晶片的电极。

本实用新型所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的:

本实用新型的一实施例揭露一种晶片导通片组件,用以连接于晶片的第一电极以及第二电极。晶片导通片组件包括第一导通片以及第二导通片,第一导通片包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,而第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域。第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧,而第一凹陷区域由第一侧延伸至第二侧。第一突出区域用于接触第一电极,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝,第二导通片包含第二电极连接部以及第二讯号传输部,第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域,第二电极连接部具有相对的第一侧边以及第二侧边,第二凹陷区域由第一侧边延伸至第二侧边,第二突出区域用于接触第二电极,而第二讯号传输部连接于第一侧边第二突出区域用于接触第二电极。

本实用新型的一实施例揭露一种集成电路结构,包含晶片导通片组件及晶片,晶片导通片组件包含第一导通片及第二导通片,而晶片设有第一电极以及第二电极。第一导通片包含第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域,第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧,第一凹陷区域由第一侧延伸至第二侧,第一突出区域接触该第一电极,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝,而第二导通片包含第二电极连接部以及第二讯号传输部。第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域,第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,第二凹陷区域由第一侧边延伸至该第二侧边,第二突出区域接触第二电极,而第二讯号传输部连接于第一侧边。

换句话说,本实用新型提供一种晶片导通片组件,用以连接于一晶片的一第一电极以及一第二电极,该晶片导通片组件包括:

一第一导通片,包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域,该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧,该第一凹陷区域由该第一侧延伸至该第二侧,该第一突出区域用于接触该第一电极,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧;以及

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